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부품번호 | CEU5175 기능 |
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기능 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | CET | ||
로고 | |||
CED5175/CEU5175
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
-55V, -40A, RDS(ON) = 23mΩ @VGS = -10V.
RDS(ON) = 28mΩ @VGS = -4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead-free plating ; RoHS compliant.
TO-251 & TO-252 package.
D
D
G
S
CEU SERIES
TO-252(D-PAK)
G
DS
CED SERIES
TO-251(I-PAK)
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
-55
±20
-40
-160
68
0.52
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
1.9
50
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 1. 2014.Jan
http://www.cetsemi.com
10 VDS=-45V
ID=-20A
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
RL
VIN
D VOUT
VGS
RGEN G
S
CED5175/CEU5175
103
102
100µs
101
1ms
10ms
DC
100
10-1
10-1
100
101
102
-VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 9. Switching Test Circuit
Figure 10. Switching Waveforms
100
D=0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
10-2
10-5
Single Pulse
10-4
10-3
10-2
10-1
Square Wave Pulse Duration (msec)
PDM
t1
t2
1. R JC (t)=r (t) * R JC
2. R JC=See Datasheet
3. TJM-TC = P* R JC (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
100
101
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
CEU5175 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
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