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MTB25N03KN3 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB25N03KN3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB25N03KN3 자료 제공

부품번호 MTB25N03KN3 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB25N03KN3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB25N03KN3 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C122N3
Issued Date : 2015.09.08
Revised Date :
Page No. : 1/9
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
MTB25N03KN3
Features
Lower gate charge
ESD protected gate
Pb-free lead plating and Halogen-free package
BVDSS
ID @VGS=10V, TA=25°C
RDSON(TYP)@VGS=10V, ID=4.2A
RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=3.5A
RDSON(TYP)@VGS=3V, ID=2.5A
30V
6.5A
17.9mΩ
24.4mΩ
49.7mΩ
Equivalent Circuit
MTB25N03KN3
Outline
SOT-23
D
GGate
SSource
DDrain
S
G
Ordering Information
Device
MTB25N03KN3-0-T1-G
Package
SOT-23
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
Shipping
3000 pcs / tape & reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and
green compound products
Packing spec, T1 : 3000 pcs / tape & reel,7” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB25N03KN3
CYStek Product Specification




MTB25N03KN3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C122N3
Issued Date : 2015.09.08
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
Typical Output Characteristics
10V, 9V, 8V, 7V, 6V
5V
4V
3.5V
3V
VGS=2.5V
1 23 4
VDS, Drain-Source Voltage(V)
5
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
ID=250μA,
VGS=0V
0.6
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
1000
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
VGS=3V
VGS=4.5V
100
10
0.01
VGS=10V
0.1 1
ID, Drain Current(A)
10
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1
Tj=25°C
0.8
0.6
Tj=150°C
0.4
0.2
0
2 46 8
IDR, Reverse Drain Current(A)
10
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
400
350 ID=4.2A
300
250
200
150
100
50
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2
1.8 VGS=10V, ID=4.2A
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6 RDS(ON) @ Tj=25°C : 17.9 mΩ
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB25N03KN3
CYStek Product Specification

4페이지










MTB25N03KN3 전자부품, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Reel Dimension
Spec. No. : C122N3
Issued Date : 2015.09.08
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB25N03KN3
CYStek Product Specification

7페이지


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