Datasheet.kr   

MTB4D0N03BJ3 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB4D0N03BJ3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB4D0N03BJ3 자료 제공

부품번호 MTB4D0N03BJ3 기능
기능 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB4D0N03BJ3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MTB4D0N03BJ3 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C092J3
Issued Date : 2015.10.23
Revised Date :
Page No. : 1/9
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
MTB4D0N03BJ3
Features
Single Drive Requirement
Low On-resistance
Fast Switching Characteristic
Repetitive Avalanche Rated
Pb-free lead plating and halogen-free package
BVDSS
ID @ VGS=10V, TA=25°C
ID @ VGS=10V, TC=25°C
RDSON(TYP)
VGS=10V, ID=20A
VGS=4.5V, ID=10A
30V
15A
56A
3.9mΩ
5.0mΩ
Equivalent Circuit
MTB4D0N03BJ3
Outline
TO-252(DPAK)
GGate DDrain SSource
G DS
Ordering Information
Device
MTB4D0N03BJ3-0-T3-G
Package
TO-252
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
Shipping
2500 pcs / tape& reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant
and green compound products
Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB4D0N03BJ3
CYStek Product Specification




MTB4D0N03BJ3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C092J3
Issued Date : 2015.10.23
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
140
120 10V,9V,8V,7V,6V
100
5V
80
60 4V
40
20
0
0
3.5V
VGS=3V
12 34
VDS, Drain-Source Voltage(V)
5
1000
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
100
VGS=3V
Brekdown Voltage vs Junction Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6 ID=250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1
0.8
Tj=25°C
10
1
0.01
VGS=4.5V
VGS=10V
0.1 1
10
ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
200
ID=20A
160
120
80
40
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.6 Tj=150°C
0.4
0.2
0
4 8 12 16
IDR, Reverse Drain Current(A)
20
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
3.2
2.8 VGS=4.5V, ID=10A
2.4 RDSON @ Tj=25°C : 5.0 mΩ typ
2
1.6
1.2
0.8
VGS=10V, ID=20A
0.4 RDSON @ Tj=25°C : 3.9 mΩ typ
0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB4D0N03BJ3
CYStek Product Specification

4페이지










MTB4D0N03BJ3 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C092J3
Issued Date : 2015.10.23
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB4D0N03BJ3
CYStek Product Specification

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ MTB4D0N03BJ3.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MTB4D0N03BJ3

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

Cystech Electonics
Cystech Electonics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵