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MTB6D0N03BJ3 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB6D0N03BJ3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MTB6D0N03BJ3 자료 제공

부품번호 MTB6D0N03BJ3 기능
기능 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB6D0N03BJ3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB6D0N03BJ3 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : CA00J3
Issued Date : 2015.10.23
Revised Date :
Page No. : 1/9
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
MTB6D0N03BJ3
Features
Single Drive Requirement
Low On-resistance
Fast Switching Characteristic
Repetitive Avalanche Rated
Pb-free lead plating and halogen-free package
BVDSS
ID @ VGS=10V, TA=25°C
ID @ VGS=10V, TC=25°C
RDSON(TYP)
VGS=10V, ID=25A
VGS=4.5V, ID=15A
30V
12A
44A
6.4mΩ
10.4mΩ
Equivalent Circuit
MTB6D0N03BJ3
Outline
TO-252(DPAK)
GGate DDrain SSource
G DS
Ordering Information
Device
MTB6D0N03BJ3-0-T3-G
Package
TO-252
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
Shipping
2500 pcs / tape& reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant
and green compound products
Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB6D0N03BJ3
CYStek Product Specification




MTB6D0N03BJ3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : CA00J3
Issued Date : 2015.10.23
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
140
120 10V, 9V, 8V, 7V, 6V
100
VGS=5V
80
60
40
20
0
0
VGS=4V
VGS=3.5V
VGS=3V
2 46 8
VDS, Drain-Source Voltage(V)
10
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
100
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6 ID=250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=3.5V
10
1
Tj=25°C
0.8
0.6 Tj=150°C
VGS=4.5V
VGS=10V
0.4
1
0.1 1 10 100
ID, Drain Current(A)
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
80
70
ID=25A
60
50
40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.2
0
4 8 12 16
IDR, Reverse Drain Current(A)
20
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.8
2.4 VGS=10V, ID=25A
2
1.6
1.2
0.8
0.4 RDS(ON)@Tj=25°C : 6.4 mΩ typ
0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB6D0N03BJ3
CYStek Product Specification

4페이지










MTB6D0N03BJ3 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : CA00J3
Issued Date : 2015.10.23
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB6D0N03BJ3
CYStek Product Specification

7페이지


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