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SPB18P06PG PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 SPB18P06PG
기능 SIPMOS Power-Transistor
제조업체 Infineon
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전체 8 페이지

		

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SPB18P06PG 데이터시트, 핀배열, 회로
SIPMOS® Power-Transistor
Features
• P-Channel
• Enhancement mode
• Avalanche rated
• dv /dt rated
• 175°C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
° Halogen-free according to IEC61249-2-21
° Qualified according to AEC Q101
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
SPB18P06P G
-60 V
0.13
-18.6 A
PG-TO263-3
Type
Package
SPB18P06PG PG-TO263-3
Tape and reel information
1000 pcs / reel
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current
ID
I D,pulse
T A=25 °C
T A=100 °C
T A=25 °C
Marking Lead free
18P06P Yes
Packing
Non dry
Value
steady state
-18.7
-13.2
-74.8
Unit
A
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=18.7 A, R GS=25
151 mJ
Avalanche energy, periodic limited by
Tjmax
E AR
Reverse diode dv /dt
dv /dt
I D=18.7 A, V DS=48 V,
di /dt =-200 A/µs,
T j,max=175 °C
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T A=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
ESD class
Soldering temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
8
-6
±20
81.1
"-55 ... +175"
260 °C
55/175/56
kV/µs
V
W
°C
Rev 1.6
page 1
2012-09-07




SPB18P06PG pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T A)
2 Drain current
I D=f(T A); |V GS|10 V
SPB18P06P G
18
75
16
14
60
12
45 10
8
30
6
4
15
2
0
0 40 80 120 160
T A [°C]
0
0 40 80 120 160
T A [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T A=25 °C; D =0
parameter: t p
102
4 Max. transient thermal impedance
Z thJA=f(t p)
parameter: D =t p/T
10 µs
101
101
limited by on-state
resistance
100
10-1
100 µs
1 ms
10 ms
DC
100 0.5
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
0.01
10-5 sin1g0le-4pulse 10-3 10-2 10-1 100 101 102
10-2
10-1
Rev 1.6
100 101
-V DS [V]
102
page 4
t p [s]
2012-09-07

4페이지










SPB18P06PG 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25
parameter: T j(start)
102
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=-18.6 A pulsed
parameter: V DD
16
SPB18P06P G
14
12
12 V
30 V
10 48 V
25 °C
101
100 °C
8
125 °C
6
4
2
100
100
101 102
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=-250 µA
0
103 0 10 20 30 40
Q gate [nC]
70
65
60
55
Rev 1.6
50
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
page 7
2012-09-07

7페이지



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