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PDF BSZ097N10NS5 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BSZ097N10NS5 | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSTM5Power-Transistor,100V
BSZ097N10NS5
DataSheet
Rev.2.1
Final
PowerManagement&Multimarket
1 page  
OptiMOSTM5Power-Transistor,100V
BSZ097N10NS5
4Electricalcharacteristics
Table4Staticcharacteristics
Parameter
Symbol
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Gate resistance
Transconductance
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
RG
gfs
Min.
100
2.2
-
-
-
-
-
-
23
Values
Typ. Max.
--
3.0 3.8
0.1 1
10 100
10 100
10.3 13.0
8.3 9.7
1.2 1.8
46 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=36µA
µA
VDS=100V,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=100V,VGS=0V,Tj=125°C
nA VGS=20V,VDS=0V
mΩ
VGS=6V,ID=5A
VGS=10V,ID=20A
Ω-
S |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=20A
Table5Dynamiccharacteristics
Parameter
Symbol
Input capacitance
Output capacitance1)
Reverse transfer capacitance1)
Turn-on delay time
Ciss
Coss
Crss
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
1600 2080
250 325
12 21
11 -
5-
21 -
5-
Unit Note/TestCondition
pF VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
ns
VDD=50V,VGS=10V,ID=20A,
RG,ext=3Ω
ns
VDD=50V,VGS=10V,ID=20A,
RG,ext=3Ω
ns
VDD=50V,VGS=10V,ID=20A,
RG,ext=3Ω
ns
VDD=50V,VGS=10V,ID=20A,
RG,ext=3Ω
Table6Gatechargecharacteristics2)
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate charge at threshold
Gate to drain charge1)
Switching charge
Gate charge total
Gate plateau voltage
Output charge1)
Qgs
Qg(th)
Qgd
Qsw
Qg
Vplateau
Qoss
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
7-
4-
58
7-
22 28
4.6 -
30 40
Unit Note/TestCondition
nC VDD=50V,ID=20A,VGS=0to10V
nC VDD=50V,ID=20A,VGS=0to10V
nC VDD=50V,ID=20A,VGS=0to10V
nC VDD=50V,ID=20A,VGS=0to10V
nC VDD=50V,ID=20A,VGS=0to10V
V VDD=50V,ID=20A,VGS=0to10V
nC VDD=50V,VGS=0V
1) Defined by design. Not subject to production test
2) See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition
Final Data Sheet
5
Rev.2.1,2014-05-05
5 Page 
6PackageOutlines
OptiMOSTM5Power-Transistor,100V
BSZ097N10NS5
Figure1OutlinePG-TSDSON-8FL,dimensionsinmm/inches
Final Data Sheet
11
Rev.2.1,2014-05-05
11 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BSZ097N10NS5 | MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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