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IDW40E65D2 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IDW40E65D2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IDW40E65D2 자료 제공

부품번호 IDW40E65D2 기능
기능 Diode ( Rectifier )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IDW40E65D2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

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IDW40E65D2 데이터시트, 핀배열, 회로
Diode
RapidSwitchingEmitterControlledDiode
IDW40E65D2
EmitterControlledDiode
Datasheet
IndustrialPowerControl




IDW40E65D2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IDW40E65D2
EmitterControlledDiode
MaximumRatings
Foroptimumlifetimeandreliability,Infineonrecommendsoperatingconditionsthatdonotexceed80%ofthemaximumratingsstatedinthisdatasheet.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
VRRM
IF
IFpuls
650
80.0
40.0
120.0
V
A
A
Diode surge non repetitive forward current
TC=25°C,tp=8.3ms,sinehalfwave
PowerdissipationTC=25°C
Operating junction temperature
Storage temperature
IFSM
Ptot
Tvj
Tstg
250.0
180.0
-40...+175
-55...+150
A
W
°C
°C
Soldering temperature,
wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
260 °C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
Diode thermal resistance,1)
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.84 K/W
40 K/W
ElectricalCharacteristic,atTvj=25°C,unlessotherwisespecified
Parameter
StaticCharacteristic
Diode forward voltage
Reverse leakage current
Symbol Conditions
IF=40.0A
VF Tvj=25°C
Tvj=175°C
VR=650V
IR Tvj=25°C
Tvj=175°C
Value
Unit
min. typ. max.
- 1.60 2.30 V
- 1.65 -
- - 40.0 µA
- - 4000.0
ElectricalCharacteristic,atTvj=25°C,unlessotherwisespecified
Parameter
DynamicCharacteristic
Internal emitter inductance
measured 5mm (0.197 in.) from
case
Symbol Conditions
LE
Value
Unit
min. typ. max.
- 13.0 - nH
1) Please be aware that in non standard load conditions, due to high Rth(j-c), Tvj close to Tvjmax can be reached.
4
Rev.2.1,2013-12-16

4페이지










IDW40E65D2 전자부품, 판매, 대치품
EmitterControlledDiode
IDW40E65D2
50
Tj=25°C, IF = 40A
45 Tj=175°C, IF = 40A
40
35
30
0
-2000
-4000
-6000
Tj=25°C, IF = 40A
Tj=175°C, IF = 40A
25 -8000
20 -10000
15
-12000
10
5 -14000
0
0 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000
diF/dt,DIODECURRENTSLOPE[A/µs]
Figure 5. Typicalpeakreverserecoverycurrentasa
functionofdiodecurrentslope
(VR=400V)
-16000
0
250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000
diF/dt,DIODECURRENTSLOPE[A/µs]
Figure 6. Typicaldiodepeakrateoffallofreverse
recoverycurrentasafunctionofdiode
currentslope
(VR=400V)
120
Tj=25°C
110 Tj=175°C
100
2.50
2.25
IF=20A
IF=40A
IF=80A
90 2.00
80
1.75
70
60 1.50
50
1.25
40
30 1.00
20
0.75
10
0 0.50
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0 25 50 75 100 125 150 175
VF,FORWARDVOLTAGE[V]
Tvj,JUNCTIONTEMPERATURE[°C]
Figure 7. Typicaldiodeforwardcurrentasafunctionof Figure 8. Typicaldiodeforwardvoltageasafunctionof
forwardvoltage
junctiontemperature
7 Rev.2.1,2013-12-16

7페이지


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