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부품번호 | IGW20N60H3 기능 |
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기능 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon | ||
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전체 14 페이지수
IGBT
HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology
IGW20N60H3
600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
IGW20N60H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
Maximumratings
Parameter
Collector-emittervoltage,Tvj≥25°C
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
Turn off safe operating area
VCE≤600V,Tvj≤175°C,tp=1µs
Gate-emitter voltage
Short circuit withstand time
VGE=15.0V,VCC≤400V
Allowed number of short circuits < 1000
Time between short circuits: ≥ 1.0s
Tvj=150°C
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature,
wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
Symbol
VCE
IC
ICpuls
-
VGE
tSC
Ptot
Tvj
Tstg
M
Value
600
40.0
20.0
80.0
80.0
±20
5
170.0
85.0
-40...+175
-55...+150
260
0.6
Unit
V
A
A
A
V
µs
W
°C
°C
°C
Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.88 K/W
40 K/W
ElectricalCharacteristic,atTvj=25°C,unlessotherwisespecified
Parameter
Symbol Conditions
StaticCharacteristic
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CES
Collector-emitter saturation voltage VCEsat
Gate-emitter threshold voltage
VGE(th)
Zero gate voltage collector current ICES
Gate-emitter leakage current
Transconductance
IGES
gfs
VGE=0V,IC=2.00mA
VGE=15.0V,IC=20.0A
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=175°C
IC=0.29mA,VCE=VGE
VCE=600V,VGE=0V
Tvj=25°C
Tvj=175°C
VCE=0V,VGE=20V
VCE=20V,IC=20.0A
min.
Value
typ.
max. Unit
600 -
-V
-
-
1.95 2.40
2.30 -
V
- 2.50 -
4.1 5.1 5.7 V
- - 40.0 µA
- - 1500.0
- - 100 nA
- 10.9 - S
4 Rev.2.2,2014-03-11
4페이지 IGW20N60H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
80 80
70 VGE=20V
17V
60 15V
13V
50
11V
40 9V
7V
30 5V
70 VGE=20V
17V
60 15V
13V
50
11V
40 9V
7V
30 5V
20 20
10 10
0
0246
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 5. Typicaloutputcharacteristic
(Tj=25°C)
0
02468
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 6. Typicaloutputcharacteristic
(Tj=175°C)
70
Tj=25°C
Tj=175°C
60
50
40
30
20
10
4.0
IC=10A
IC=20A
IC=40A
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
0
5 6 7 8 9 10 11
VGE,GATE-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 7. Typicaltransfercharacteristic
(VCE=20V)
1.0
12 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj,JUNCTIONTEMPERATURE[°C]
Figure 8. Typicalcollector-emittersaturationvoltageas
afunctionofjunctiontemperature
(VGE=15V)
7 Rev.2.2,2014-03-11
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