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IKP20N60H3 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IKP20N60H3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IKP20N60H3 자료 제공

부품번호 IKP20N60H3 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IKP20N60H3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IKP20N60H3 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT
HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology
withsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode
IKP20N60H3
600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl




IKP20N60H3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IKP20N60H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
Maximumratings
Parameter
Collector-emittervoltage,Tvj25°C
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
Turn off safe operating area
VCE600V,Tvj175°C,tp=1µs
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
Gate-emitter voltage
Short circuit withstand time
VGE=15.0V,VCC400V
Allowed number of short circuits < 1000
Time between short circuits: 1.0s
Tvj=150°C
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature,
wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
Symbol
VCE
IC
ICpuls
-
IF
IFpuls
VGE
tSC
Ptot
Tvj
Tstg
M
Value
600
40.0
20.0
80.0
80.0
20.0
10.0
80.0
±20
5
170.0
85.0
-40...+175
-55...+150
260
0.6
Unit
V
A
A
A
A
A
V
µs
W
°C
°C
°C
Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Diode thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.88 K/W
1.89 K/W
62 K/W
4 Rev.2.2,2014-03-12

4페이지










IKP20N60H3 전자부품, 판매, 대치품
IKP20N60H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
60 100
50
40
TC=80°
30
TC=110°
TC=80°
20 TC=110°
10
tp=1µs
10 10µs
50µs
100µs
200µs
500µs
1
DC
0
1 10 100 1000
f,SWITCHINGFREQUENCY[kHz]
Figure 1. Collectorcurrentasafunctionofswitching
frequency
(Tj175°C,D=0.5,VCE=400V,VGE=15/0V,
rG=14,6)
0.1
1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 2. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tj175°C;VGE=15V)
180 40
160 35
140
30
120
25
100
20
80
15
60
10
40
20 5
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 3. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tj175°C)
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 4. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE15V,Tj175°C)
7 Rev.2.2,2014-03-12

7페이지


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