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부품번호 | IPW50R280CE 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 15 페이지수
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
CoolMOS™CE
500VCoolMOS™CEPowerTransistor
IPx50R280CE
DataSheet
Rev.2.1
Final
PowerManagement&Multimarket
500VCoolMOS™CEPowerTransistor
IPW50R280CE,IPP50R280CE
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current1)
ID
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, repetitive
Avalanche current, repetitive
MOSFET dv/dt ruggedness
ID,pulse
EAS
EAR
IAR
dv/dt
Gate source voltage
VGS
Power dissipation (non FullPAK)
TO-247, TO-220
Ptot
Operating and storage temperature Tj,Tstg
Mounting
TO-220
torque
(non
FullPAK)
TO-247,
-
Continuous diode forward current
Diode pulse current2)
IS
IS,pulse
Reverse diode dv/dt3)
dv/dt
Maximum diode commutation speed3) dif/dt
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-20
-30
Values
Typ. Max.
- 13
- 8.2
- 42.9
- 231
- 0.35
- 5.2
- 50
- 20
- 30
Unit Note/TestCondition
A
TC = 25°C
TC = 100°C
A TC=25°C
mJ ID =5.2A; VDD = 50V
mJ ID =5.2A; VDD = 50V
A-
V/ns VDS=0...400V
V
static;
AC (f>1 Hz)
- - 92 W TC=25°C
-55 -
150 °C -
- - 60 Ncm M3 and M3.5 screws
- - 11.3 A TC=25°C
- - 42.9 A TC = 25°C
-
-
15
V/ns
VDS=0...400V,ISD<=IS,Tj=25°C,
tcond<2µs
-
-
500
A/µs
VDS=0...400V,ISD<=IS,Tj=25°C,
tcond<2µs
3Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics(nonFullPAK)TO-247,TO-220
Parameter
Symbol
Values
Unit Note/TestCondition
Min. Typ. Max.
Thermal resistance, junction - case RthJC
Thermal resistance, junction - ambient RthJA
- - 1.36 °C/W -
- - 62 °C/W leaded
Soldering temperature, wavesoldering
only allowed at leads
Tsold
- - 260 °C 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s
1) Limited by Tj max. Maximum duty cycle D=0.75
2) Pulse width tp limited by Tj,max
3)VDClink=400V;VDS,peak<V(BR)DSS;identicallowsideandhighsideswitchwithidenticalRG
Final Data Sheet
4
Rev.2.1,2014-06-06
4페이지 5Electricalcharacteristicsdiagrams
500VCoolMOS™CEPowerTransistor
IPW50R280CE,IPP50R280CE
Powerdissipation(NonFullPAK)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Ptot=f(TC)
40 80
TC[°C]
120
Max.transientthermalimpedance(NonFullPAK)
101
100 0.5
0.2
0.1
0.05
10-1 0.02
0.01
single pulse
10-2
160 10-5
10-4
ZthJC=f(tP);parameter:D=tp/T
10-3
tp[s]
10-2
10-1
Safeoperatingarea(NonFullPAK)Tj=25°C
102
1 µs
101
10 µs
100 µs
1 ms
100 10 ms
DC
10-1
Safeoperatingarea(NonFullPAK)Tj=80°C
102
101 1 µs
10 µs
100 1 ms 100 µs
10 ms
10-1 DC
10-2
100
101
VDS[V]
ID=f(VDS);TC=25°C;D=0;parameter:tp
102
Final Data Sheet
10-2
103 100
101
VDS[V]
ID=f(VDS);TC=80°C;D=0;parameter:tp
102
103
7 Rev.2.1,2014-06-06
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IPW50R280CE | MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
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