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F59D1G161A 데이터시트 PDF




Elite Semiconductor에서 제조한 전자 부품 F59D1G161A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 F59D1G161A 자료 제공

부품번호 F59D1G161A 기능
기능 1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory
제조업체 Elite Semiconductor
로고 Elite Semiconductor 로고


F59D1G161A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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F59D1G161A 데이터시트, 핀배열, 회로
ESMT
Flash
FEATURES
Voltage Supply: 1.8V (1.7 V ~ 1.95V)
Organization
x8:
- Memory Cell Array: (128M + 4M) x 8bit
- Data Register: (2K + 64) x 8bit
x16:
- Memory Cell Array: (64M + 2M) x 16bit
- Data Register: (1K + 32) x 16bit
Automatic Program and Erase
x8:
- Page Program: (2K + 64) Byte
- Block Erase: (128K + 4K) Byte
x16:
- Page Program: (1K + 32) Word
- Block Erase: (64K + 2K) Word
Page Read Operation
- Page Size: (2K + 64) Byte (x8)
Page Size: (1K + 32) Word (x16)
- Random Read: 25us (Max.)
- Serial Access: 45ns (Min.)
Memory Cell: 1bit/Memory Cell
Fast Write Cycle Time
- Program time: 250us (Typ.)
- Block Erase time: 2ms (Typ.)
Command/Address/Data Multiplexed I/O Port
F59D1G81A / F59D1G161A
1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16)
1.8V NAND Flash Memory
Hardware Data Protection
- Program/Erase Lockout During Power Transitions
Reliable CMOS Floating Gate Technology
- ECC Requirement: x8 - 1bit/528Byte,
x16 - 1bit/264Word
- Endurance: 100K Program/Erase Cycles
- Data Retention: 10 Years
Command Register Operation
Automatic Page 0 Read at Power-Up Option
- Boot from NAND support
- Automatic Memory Download
NOP: 4 cycles
Cache Program Operation for High Performance Operation
Copy-Back Operation
EDO mode
OTP Operation
No Bad-Block-Erasing-Protect function (user should manage
bad blocks before erasing)
ORDERING INFORMATION
Product ID
x8:
F59D1G81A -45TG
F59D1G81A -45BG
x16:
F59D1G161A -45BG
Speed
45 ns
45 ns
45 ns
Package
48 pin TSOPI
63 ball BGA
63 ball BGA
Comments
Pb-free
Pb-free
Pb-free
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May 2014
Revision: 1.5
1/43




F59D1G161A pdf, 반도체, 판매, 대치품
ESMT
F59D1G81A / F59D1G161A
BALL CONFIGURATION (x16) (TOP VIEW)
(BGA 63 BALL, 9mm X 11mm Body, 0.8 Ball Pitch)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A NC NC
NC NC
B NC
NC NC
C WP ALE VSS CE WE R / B
D NC RE CLE NC NC NC
E NC NC NC NC NC NC
F NC NC NC NC NC NC
G NC NC NC I/O13 I/O15 NC
H I/O8 I/O0 I/O10 I/O12 I/O14 VCC
J I/O9 I/O1 I/O11 VCC I/O5 I/O7
K VSS I/O2 I/O3 I/O4 I/O6 VSS
L NC NC
NC NC
M NC NC
NC NC
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May 2014
Revision: 1.5
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F59D1G161A 전자부품, 판매, 대치품
ESMT
BLOCK DIAGRAM (x16)
F59D1G81A / F59D1G161A
ARRAY ORGANIZATION (x16)
Address Cycle Map (x16)
I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 I/O5 I/O6
1st cycle
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
2nd cycle A8
A9 A10
L*
L*
L*
L*
3rd cycle A11 A12 A13 A14 A15 A16 A17
4th cycle A19 A20 A21 A22 A23 A24 A25
Note:
Column Address: Starting Address of the Register.
*L must be set to “Low”.
* The device ignores any additional input of address cycles than required.
I/O7 I/O8~I/O15
A7 L*
L* L*
A18 L*
A26 L*
Column Address
Column Address
Row Address
Row Address
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May 2014
Revision: 1.5
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