Datasheet.kr   

BAS21AW 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BAS21AW은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BAS21AW 자료 제공

부품번호 BAS21AW 기능
기능 High-voltage switching diodes
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BAS21AW 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BAS21AW 데이터시트, 핀배열, 회로
BAS21W series
High-voltage switching diodes
Rev. 01 — 9 October 2009
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
High-voltage switching diodes, encapsulated in a very small Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
Table 1. Product overview
Type number
Configuration
BAS21W
BAS21AW
BAS21SW
single
dual common anode
dual series
Package
NXP
SOT323
JEDEC
SC-70
Package
configuration
very small
1.2 Features
I High switching speed: trr 50 ns
I Low leakage current
I High reverse voltage: VR 250 V
I Low capacitance: Cd 2 pF
I Very small SMD plastic package
I AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
I High-speed switching
I General-purpose switching
I Voltage clamping
I Reverse polarity protection
1.4 Quick reference data
Table 2. Quick reference data
Symbol Parameter
Per diode
IF forward current
IR reverse current
VR reverse voltage
trr reverse recovery time
Conditions
VR = 200 V
Min Typ
[1] -
-
-
[2] -
-
-
-
-
[1] Single diode loaded.
[2] When switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 ; measured at IR = 1 mA.
Max
225
100
250
50
Unit
mA
nA
V
ns




BAS21AW pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BAS21W series
High-voltage switching diodes
6. Thermal characteristics
Table 7. Thermal characteristics
Symbol Parameter
Per device
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
Rth(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
Conditions
in free air
Min Typ Max Unit
[1] - - 625 K/W
- - 300 K/W
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
7. Characteristics
Table 8. Characteristics
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Per diode
VF forward voltage
IF = 100 mA
IF = 200 mA
IR reverse current
VR = 200 V
VR = 200 V; Tj = 150 °C
Cd
diode capacitance
f = 1 MHz; VR = 0 V
trr reverse recovery time
Min Typ
--
--
--
--
--
[1] -
-
[1] When switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 ; measured at IR = 1 mA.
Max Unit
1.0 V
1.25 V
100 nA
100 µA
2 pF
50 ns
BAS21W_SER_1
Product data sheet
Rev. 01 — 9 October 2009
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
4 of 11

4페이지










BAS21AW 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
9. Package outline
BAS21W series
High-voltage switching diodes
2.2 1.35
2.0 1.15
2.2
1.8
3
0.45
0.15
1.1
0.8
1
Dimensions in mm
1.3
Fig 7. Package outline SOT323 (SC-70)
2
0.4
0.3
0.25
0.10
04-11-04
10. Packing information
Table 9. Packing methods
The indicated -xxx are the last three digits of the 12NC ordering code.[1]
Type number Package Description
BAS21W
BAS21AW
BAS21SW
SOT323 4 mm pitch, 8 mm tape and reel
Packing quantity
3 000
10 000
-115
-135
[1] For further information and the availability of packing methods, see Section 14.
BAS21W_SER_1
Product data sheet
Rev. 01 — 9 October 2009
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
7 of 11

7페이지


구       성 총 11 페이지수
다운로드[ BAS21AW.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BAS21A

High voltage switching (double) diodes

CYStech Electronics
CYStech Electronics
BAS21A

Three Terminals SMD Switching Diodes

TAITRON
TAITRON

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵