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IDW75D65D1 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IDW75D65D1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IDW75D65D1 자료 제공

부품번호 IDW75D65D1 기능
기능 Diode ( Rectifier )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IDW75D65D1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IDW75D65D1 데이터시트, 핀배열, 회로
Diode
RapidSwitchingEmitterControlledDiode
IDW75D65D1
EmitterControlledDiodeRapid1DualAnodeSeries
Datasheet
IndustrialPowerControl




IDW75D65D1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IDW75D65D1
EmitterControlledDiodeRapid1DualAnodeSeries
Maximum Ratings
For optimum lifetime and reliability, Infineon recommends operating conditions that do not exceed 80% of the maximum ratings stated in this datasheet.
Parameter
Repetitivepeakreversevoltage,Tvj25°C
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax1)
TC=25°C
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
Diode surge non repetitive forward current2)
TC=25°C,tp=10.0ms,sinehalfwave
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature,
wave soldering 1.6mm (0.063in.) from case for 10s
Symbol
VRRM
IF
IFpuls
IFSM
Ptot
Tvj
Tstg
Value
650
150.0
75.0
225.0
580.0
326.0
163.0
-40...+175
-55...+150
260
Unit
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
Thermal Resistances
Parameter
Characteristic
Diode thermal resistance,3)
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max. Value
Unit
0.46 K/W
40 K/W
Electrical Characteristics, at Tvj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Static Characteristic
Diode forward voltage
Reverse leakage current
Symbol Conditions
IF=75.0A
VF
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=175°C
VR=650V
IR Tvj=25°C
Tvj=175°C
Value
Unit
min. typ. max.
-
-
1.35 1.70
1.32 -
V
- 1.28 -
- - 40.0 µA
- 3000.0 -
1) Maximum current for pin 1 and pin 3 is 80A (value limited by bondwire).
2) For a balanced current flow through pins 1 and 3.
3)Pleasebeawarethatinnonstandardloadconditions,duetohighRth(j-c),TvjclosetoTvjmaxcanbereached.
4
Rev.2.1,2014-12-10

4페이지










IDW75D65D1 전자부품, 판매, 대치품
IDW75D65D1
EmitterControlledDiodeRapid1DualAnodeSeries
350 160
315 140
280
120
245
210 100
175 80
140 60
105
40
70
35 20
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 1. Power dissipation as a function of case
temperature
(Tvj175°C)
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 2. Collector current as a function of case
temperature
(VGE15V,Tvj175°C)
250
Tvj=25°C,IF=75A
225
Tvj=125°C,IF=75A
Tvj=175°C,IF=75A
D = 0.5
200
0.2 175
0.1
0.1 0.05 150
0.02
0.01
single pulse
125
100
75
50
i: 1 2 3 4 5 6 7
ri[K/W]: 3.1E-4 0.01435 0.09435 0.09881 0.22828 0.01967 2.0E-3
τi[s]: 1.0E-5 3.0E-5 2.2E-4 2.2E-3 0.01247 0.10291 1.85641
0.01
1E-6
1E-5 1E-4 0.001 0.01
tp,PULSEWIDTH[s]
0.1
1
Figure 3. Diode transient thermal impedance as a
function of pulse width
(D=tp/T)
25
0
200 600 1000 1400 1800 2200 2600 3000
dIF/dt,DIODECURRENTSLOPE[A/µs]
Figure 4. Typical reverse recovery time as a function of
diode current slope
(VR=400V)
7 Rev.2.1,2014-12-10

7페이지


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