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IGW40N65F5A 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IGW40N65F5A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IGW40N65F5A 자료 제공

부품번호 IGW40N65F5A 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IGW40N65F5A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IGW40N65F5A 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT
Highspeed5FASTIGBTinTRENCHSTOPTM5technology
IGW40N65F5A
650VIGBT
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl




IGW40N65F5A pdf, 반도체, 판매, 대치품
IGW40N65F5A
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
MaximumRatings
Foroptimumlifetimeandreliability,Infineonrecommendsoperatingconditionsthatdonotexceed80%ofthemaximumratingsstatedinthisdatasheet.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emittervoltage,Tvj25°C
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax1)
VCE
IC
ICpuls
650
74.0
46.0
120.0
V
A
A
Turn off safe operating area
VCE650V,Tvj175°C,tp=1µs1)
-
120.0
A
Gate-emitter voltage
TransientGate-emittervoltage(tp10µs,D<0.010)
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature,2)
wave soldering 1.6mm (0.063in.) from case for 10s
VGE
Ptot
Tvj
Tstg
±20
±30
250.0
125.0
-40...+175
-55...+150
260
V
W
°C
°C
°C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.60 K/W
40 K/W
ElectricalCharacteristic,atTvj=25°C,unlessotherwisespecified
Parameter
Symbol Conditions
StaticCharacteristic
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CES
Collector-emitter saturation voltage VCEsat
Gate-emitter threshold voltage
VGE(th)
Zero gate voltage collector current ICES
Gate-emitter leakage current
Transconductance
IGES
gfs
VGE=0V,IC=0.20mA
VGE=15.0V,IC=40.0A
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=175°C
IC=0.40mA,VCE=VGE
VCE=650V,VGE=0V
Tvj=25°C
Tvj=175°C
VCE=0V,VGE=20V
VCE=20V,IC=40.0A
Value
Unit
min. typ. max.
650 -
-V
-
-
1.60 2.10
1.80 -
V
- 1.90 -
3.2 4.0 4.8 V
- - 40.0 µA
- 1000.0 -
- - 100 nA
- 50.0 - S
1) Defined by design. Not subject to production test.
2) Package not recommended for surface mount applications
4
Rev.2.1,2014-12-15

4페이지










IGW40N65F5A 전자부품, 판매, 대치품
IGW40N65F5A
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 1. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tvj175°C)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 2. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE15V,Tvj175°C)
120 120
100
VGE = 20V
18V
80
15V
12V
60 10V
8V
40 7V
6V
5V
20
100
VGE = 20V
18V
80
15V
12V
60 10V
8V
40 7V
6V
5V
20
0
012345
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 3. Typicaloutputcharacteristic
(Tvj=25°C)
0
012345
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 4. Typicaloutputcharacteristic
(Tvj=150°C)
7 Rev.2.1,2014-12-15

7페이지


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