Datasheet.kr   

PESD5V0U2BM 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PESD5V0U2BM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PESD5V0U2BM 자료 제공

부품번호 PESD5V0U2BM 기능
기능 Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PESD5V0U2BM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

PESD5V0U2BM 데이터시트, 핀배열, 회로
BOTTOM VIEW
PESD5V0U2BM
Ultra low capacitance bidirectional double ESD
protection array
Rev. 01 — 14 August 2008
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Ultra low capacitance bidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode
array in a SOT883 (SC-101) leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic
package designed to protect up to two signal lines from the damage caused by ESD and
other transients.
1.2 Features
I Bidirectional ESD protection of up to I ESD protection up to 10 kV
two lines
I Ultra low diode capacitance: Cd = 2.9 pF I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
I Ultra low leakage current: IRM = 5 nA I AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
I Computers and peripherals
I Audio and video equipment
I Cellular handsets and accessories
I 10/100/1000 Mbit/s Ethernet
I Communication systems
I Portable electronics
I Subscriber Identity Module (SIM) card
protection
I FireWire
I High-speed data lines
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Per diode
VRWM
Cd
reverse standoff voltage
diode capacitance
f = 1 MHz; VR = 0 V
Min Typ Max Unit
- - 5V
- 2.9 3.5 pF




PESD5V0U2BM pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
PESD5V0U2BM
Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Per diode
VRWM
reverse standoff
voltage
IRM reverse leakage current VRWM = 5 V
VBR breakdown voltage IR = 5 mA
Cd
diode capacitance
f = 1 MHz
VR = 0 V
VR = 5 V
rdif differential resistance IR = 1 mA
Min Typ Max Unit
- - 5V
- 5 100 nA
5.5 6.5 9.5 V
- 2.9 3.5 pF
- 1.9 - pF
- - 100
3.0
Cd
(pF)
2.6
006aab036
2.2
1.8
012345
VR (V)
Fig 2.
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
IPP
VCL VBR VRWM
IR
IRM
IRM
IR
VRWM VBR VCL
IPP
+
006aaa676
Fig 3. V-I characteristics for a bidirectional
ESD protection diode
PESD5V0U2BM_1
Product data sheet
Rev. 01 — 14 August 2008
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
4 of 11

4페이지










PESD5V0U2BM 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
9. Package outline
PESD5V0U2BM
Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array
0.30
0.22
0.62
0.55
0.55
0.47
3
0.65
0.30
0.22
2
1
0.20
0.12
0.35
Dimensions in mm
Fig 6. Package outline SOT883 (SC-101)
0.50
0.46
1.02
0.95
03-04-03
10. Packing information
Table 9. Packing methods
The indicated -xxx are the last three digits of the 12NC ordering code.[1]
Type number
Package Description
PESD5V0U2BM
SOT883 2 mm pitch, 8 mm tape and reel
[1] For further information and the availability of packing methods, see Section 14.
Packing
quantity
10 000
-315
PESD5V0U2BM_1
Product data sheet
Rev. 01 — 14 August 2008
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
7 of 11

7페이지


구       성 총 11 페이지수
다운로드[ PESD5V0U2BM.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
PESD5V0U2BM

Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
PESD5V0U2BMB

Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵