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부품번호 | 3N90-E 기능 |
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기능 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ||
제조업체 | Unisonic Technologies | ||
로고 | |||
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
3N90-E
3A, 900V N-CHANNEL
POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 3N90-E provides excellent RDS(ON), low gate charge
and operation with low gate voltages. This device is suitable for
use as a load switch or in PWM applications.
FEATURES
* RDS(ON) < 6.2Ω @ VGS=10V, ID=1.5A
* Fast Switching Capability
* Avalanche Energy Specified
* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
SYMBOL
Power MOSFET
RDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
3N90L-TM3-T
3N90G-TM3-T
3N90L-TMS2-T
3N90G-TMS2-T
3N90L-TN3-R
3N90G-TN3-R
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source
Package
TO-251
TO-251S2
TO-252
Pin Assignment
123
GDS
GDS
GDS
Packing
Tube
Tube
Tape Reel
MARKING
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2015 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 5
QW-R205-007.C
3N90-E
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS (Cont.)
Power MOSFET
Fig. 2A Switching Test Circuit
Fig. 2B Switching Waveforms
Fig. 3A Gate Charge Test Circuit
Fig. 3B Gate Charge Waveform
Fig. 4A Unclamped Inductive Switching Test Circuit Fig. 4B Unclamped Inductive Switching Waveforms
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
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QW-R205-007.C
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ 3N90-E.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
3N90-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | Unisonic Technologies |
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