DataSheet.es    


PDF BSC009NE2LS5 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BSC009NE2LS5
Descripción MOSFET ( Transistor )
Fabricantes Infineon 
Logotipo Infineon Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de BSC009NE2LS5 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 13 Páginas

No Preview Available ! BSC009NE2LS5 Hoja de datos, Descripción, Manual

MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSC009NE2LS5
DataSheet
Rev.2.0
Final
PowerManagement&Multimarket

1 page




BSC009NE2LS5 pdf
OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSC009NE2LS5
4Electricalcharacteristics
Table4Staticcharacteristics
Parameter
Symbol
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Gate resistance
Transconductance
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
RG
gfs
Min.
25
1.2
-
-
-
-
-
-
75
Values
Typ. Max.
--
1.6 2
0.1 1
10 100
10 100
0.95 1.25
0.75 0.9
1 1.7
150 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=250µA
µA
VDS=20V,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=20V,VGS=0V,Tj=125°C
nA VGS=16V,VDS=0V
m
VGS=4.5V,ID=30A
VGS=10V,ID=30A
-
S |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A
Table5Dynamiccharacteristics
Parameter
Symbol
Input capacitance1)
Output capacitance1)
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Ciss
Coss
Crss
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
2900 3900
1400 1900
130 -
4-
6-
30 -
4-
Unit Note/TestCondition
pF VGS=0V,VDS=12V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=12V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=12V,f=1MHz
ns
VDD=12V,VGS=10V,ID=30A,
RG,ext=1.6
ns
VDD=12V,VGS=10V,ID=30A,
RG,ext=1.6
ns
VDD=12V,VGS=10V,ID=30A,
RG,ext=1.6
ns
VDD=12V,VGS=10V,ID=30A,
RG,ext=1.6
Table6Gatechargecharacteristics2)
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate charge at threshold
Gate to drain charge
Switching charge
Gate charge total
Gate plateau voltage
Gate charge total
Gate charge total, sync. FET
Output charge
Qgs
Qg(th)
Qgd
Qsw
Qg
Vplateau
Qg
Qg(sync)
Qoss
1) Defined by design. Not subject to production test
2) See Gate charge waveformsfor parameter definition
Final Data Sheet
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
Values
Typ. Max.
6.7 -
4.6 -
4.9 -
7.0 -
20 28
2.3 -
43 57
18 -
28 -
Unit Note/TestCondition
nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
V VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to10V
nC VDS=0.1V,VGS=0to4.5V
nC VDD=12V,VGS=0V
Rev.2.0,2015-03-10

5 Page





BSC009NE2LS5 arduino
6PackageOutlines
OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSC009NE2LS5
 
Figure1OutlinePG-TDSON-8,dimensionsinmm
Final Data Sheet
11
Rev.2.0,2015-03-10

11 Page







PáginasTotal 13 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet BSC009NE2LS5.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BSC009NE2LSPower-MOSFETInfineon
Infineon
BSC009NE2LS5MOSFET ( Transistor )Infineon
Infineon
BSC009NE2LS5IMOSFET ( Transistor )Infineon
Infineon

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar