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BSC009NE2LS5 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BSC009NE2LS5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSC009NE2LS5 자료 제공

부품번호 BSC009NE2LS5 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BSC009NE2LS5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 13 페이지수

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BSC009NE2LS5 데이터시트, 핀배열, 회로
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSC009NE2LS5
DataSheet
Rev.2.0
Final
PowerManagement&Multimarket




BSC009NE2LS5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSC009NE2LS5
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
at 25 °C
Parameter
Symbol
Continuous drain current
ID
Pulsed drain current2)
Avalanche current, single pulse3)
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
ID,pulse
IAS
EAS
VGS
Ptot
Tj,Tstg
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-
-16
-
-
-55
Values
Typ. Max.
- 100
- 100
- 100
- 100
- 41
- 400
- 50
- 90
- 16
- 74
- 2.5
- 150
Unit Note/TestCondition
VGS=10V,TC=25°C
VGS=10V,TC=100°C
A VGS=4.5V,TC=25°C
VGS=4.5V,TC=100°C
VGS=10V,TA=25°C,RthJA=50K/W1)
A TC=25°C
A TC=25°C
mJ ID=50A,RGS=25
V-
W
TC=25°C
TA=25°C,RthJA=50K/W1)
°C
IEC climatic category;
DIN IEC 68-1: 55/150/56
3Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
Parameter
Symbol
Thermal resistance, junction - case,
bottom
Thermal resistance, junction - case,
top
Device on PCB,
6 cm2 cooling area1)
RthJC
RthJC
RthJA
Values
Unit Note/TestCondition
Min. Typ. Max.
- - 1.7 K/W -
- - 20 K/W -
- - 50 K/W -
1) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
2) See figure 3 for more detailed information
3) See figure 13 for more detailed information
Final Data Sheet
4 Rev.2.0,2015-03-10

4페이지










BSC009NE2LS5 전자부품, 판매, 대치품
5Electricalcharacteristicsdiagrams
OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSC009NE2LS5
Diagram1:Powerdissipation
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Ptot=f(TC)
40 80
TC[°C]
120
Diagram2:Draincurrent
120
100
80
60
40
20
0
160 0
40
ID=f(TC);VGS10V
80
TC[°C]
120
160
Diagram3:Safeoperatingarea
103
1 µs
10 µs
100 µs
102
1 ms
10 ms
101 DC
100
Diagram4:Max.transientthermalimpedance
101
100 0.5
0.2
0.1
10-1 0.05
0.02
0.01
single pulse
10-2
10-1
10-1
100
VDS[V]
ID=f(VDS);TC=25°C;D=0;parameter:tp
101
Final Data Sheet
10-3
102
10-6
10-5
10-4
ZthJC=f(tp);parameter:D=tp/T
10-3
tp[s]
10-2
10-1
100
7 Rev.2.0,2015-03-10

7페이지


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