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BSC037N08NS5 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BSC037N08NS5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSC037N08NS5 자료 제공

부품번호 BSC037N08NS5 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BSC037N08NS5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BSC037N08NS5 데이터시트, 핀배열, 회로
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
BSC037N08NS5
DataSheet
Rev.2.0
Final
PowerManagement&Multimarket




BSC037N08NS5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
BSC037N08NS5
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse3)
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
ID
ID,pulse
EAS
VGS
Ptot
Tj,Tstg
Min.
-
-
-
-
-
-20
-
-
-55
Values
Typ. Max.
- 100
- 84
- 22
- 400
- 140
- 20
- 114
- 2.5
- 150
Unit Note/TestCondition
VGS=10V,TC=25°C
A VGS=10V,TC=100°C
VGS=10V,TC=25°C,RthJA=50K/W1)
A TC=25°C
mJ ID=50A,RGS=25
V-
W
TC=25°C
TA=25°C,RthJA=50K/W1)
°C
IEC climatic category;
DIN IEC 68-1: 55/150/56
3Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
Parameter
Symbol
Thermal resistance, junction - case,
bottom
Thermal resistance, junction - case,
top
Device on PCB,
6 cm2 cooling area1)
RthJC
RthJC
RthJA
Values
Unit Note/TestCondition
Min. Typ. Max.
- 0.7 1.1 K/W -
- - 20 K/W -
- - 50 K/W -
1) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
2) See figure 3 for more detailed information
3) See figure 13 for more detailed information
Final Data Sheet
4 Rev.2.0,2014-12-17

4페이지










BSC037N08NS5 전자부품, 판매, 대치품
5Electricalcharacteristicsdiagrams
OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
BSC037N08NS5
Diagram1:Powerdissipation
120
Diagram2:Draincurrent
120
100 100
80 80
60 60
40 40
20 20
0
0
Ptot=f(TC)
25 50 75 100 125 150 175
TC[°C]
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC[°C]
ID=f(TC);VGS10V
Diagram3:Safeoperatingarea
103
1 µs
102 10 µs
100 µs
1 ms
101 10 ms
DC
100
Diagram4:Max.transientthermalimpedance
101
100
0.5
0.2
10-1 0.1
0.05
0.02
0.01
10-2 single pulse
10-1
10-1
100
VDS[V]
ID=f(VDS);TC=25°C;D=0;parameter:tp
101
Final Data Sheet
10-3
102
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
tp[s]
ZthJC=f(tp);parameter:D=tp/T
7 Rev.2.0,2014-12-17

7페이지


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