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부품번호 | UT3N01Z 기능 |
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기능 | N-CHANNEL MOSFET | ||
제조업체 | Unisonic Technologies | ||
로고 | |||
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UT3N01Z
N-CHANNEL SILICON MOSFET
GENERAL-PURPOSE
SWITCHING DEVICE
APPLICATIONS
DESCRIPTION
The UT3N01Z uses UTC advanced technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate
voltages. This device’s general purpose is for switching device
applications.
FEATURES
* RDS(ON) < 2.0Ω @ VGS=4V, ID=80mA
RDS(ON) < 3.0Ω @ VGS=2.5V, ID=40mA
RDS(ON) < 12.8Ω @ VGS=1.5V, ID=10mA
* Ultra low gate charge ( typical 5 nC )
* Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 7.5 pF )
* Fast switching capability
* Enhanced ESD capability
SYMBOL
Power MOSFET
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Note:
UT3N01ZG-AE2-R
UT3N01ZG-AL3-R
UT3N01ZG-AN3-R
UT3N01ZG-AL6-R
Pin Assignment: G: Gate D: Drain
Package
SOT-23-3
SOT-323
SOT-523
SOT-363
S: Source
Pin Assignment
123456
SGD - - -
SGD - - -
SGD - - -
S1 G1 D2 S2 G2 D1
Packing
Tape Reel
Tape Reel
Tape Reel
Tape Reel
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 6
QW-R502-285.I
UT3N01Z
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
Power MOSFET
VIN
G
VOUT
4V
0V RG=50Ω
Pulse Width= 10μs
Duty cycle≤1%
D RL=187.5Ω
ID=80mA
D.U.T.
S
VDD=15V
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
4 of 6
QW-R502-285.I
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
다운로드 | [ UT3N01Z.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
UT3N01Z | N-CHANNEL MOSFET | Unisonic Technologies |
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