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부품번호 | IDW20G65C5B 기능 |
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기능 | Silicon Carbide Diode | ||
제조업체 | Infineon | ||
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전체 11 페이지수
SiC
Silicon Carbide Diode
5th Generation thinQ!TM
650V SiC Schottky Diode
IDW20G65C5B
Final Datasheet
Rev. 2.0, 2015-04-13
Power Management & Multimarket
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDW20G65C5B
Maximum ratings
2 Maximum ratings
Table 3
Parameter
Maximum ratings
Symbol
Continuous forward current 1)
IF
Surge non-repetitive forward current, sine IF,SM
halfwave 1)
Non-repetitive peak forward current 1)
i²t value 1)
IF,max
∫ i²dt
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
Power dissipation 2)
Operating and storage temperature
Mounting torque
VRRM
dv/dt
Ptot
Tj;Tstg
Min.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
-55
–
Values
Typ. Max.
– 10
– 58
– 46
– 431
– 16.6
– 10.5
– 650
– 100
– 130
– 175
50 70
Unit Note/Test Condition
A
A²s
V
V/ns
W
°C
Ncm
TC < 125°C, D=1
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
TC = 25°C, tp=10 µs
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
Tj = 25°C
VR=0..480 V
TC = 25°C
M3 screws
3 Thermal characteristics
Table 4
Thermal characteristics TO-247-3
Parameter
Symbol
Thermal resistance, junction-case 1)
RthJC
Thermal resistance, junction-ambient 1) RthJA
Min.
–
–
Values
Typ. Max.
1.8 2.3
– 62
Unit
K/W
Note/Test Condition
leaded
Soldering temperature, wavesoldering Tsold
only allowed at leads
–
–
260 °C
1.6mm (0.063 in.) from
case for 10 s
1) Per Leg
2) Per Device
Final Datasheet
4 Rev. 2.0, 2015-04-13
4페이지 Table 9
Typ. capacitance charge vs. current slope 1)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
100
400 700
dIF/dt [A/µs]
QC=f(diF/dt); Tj=150°C; VR=400 V; IF≤IF,max
1000
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDW20G65C5B
Electrical characteristics diagrams
Typ. Reverse current vs. reverse voltage 1)
1.E-5
1.E-6
1.E-7
175°C
1.E-8
1.E-9
100
150°C
100°C
25°C
-55°C
200 300 400 500 600
VR [V]
IR=f(VR); parameter: Tj
Table 10
Max. transient thermal impedance 1)
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01
1.E-06
1.E-03
tp [s]
Zth,jc=f(tP); parameter: D=tP/T
1.E+00
Typ. capacitance vs. reverse voltage 1)
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0 1 10 100 1000
VR [V]
C=f(VR); Tj=25°C; f=1 MHz
1) Per Leg
2) Per Device
Final Datasheet
7 Rev. 2.0, 2015-04-13
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IDW20G65C5 | SiC Schottky Barrier diodes | Infineon Technologies |
IDW20G65C5B | Silicon Carbide Diode | Infineon |
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