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부품번호 | 1N3997A-SEL 기능 |
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기능 | DIODE | ||
제조업체 | DSI | ||
로고 | |||
Technical Data
DIODE
maximum ratings
Voltage, Reverse (VZ)
Voltage, Reverse Peak (VRM)
Current at VR = OV (IO)
Current Average Rectified (IF)
Current Surge Peak (IZM)
Current, Surge (IFM) at tp =
Max. Power Dissipation (PT) at TC = 55 °C
Max. Thermal Resistance (Rth J-C)
Max. Junction Temperature (TJ)
5.6 V
empty
V
empty
A
2.0 A
1.62 A
empty
A
10.0 W
1.2 °C/W
175.0 °C
NO.
TYPE
empty
empty
CASE
empty
empty
1N3997A-SEL
ZENER
empty
empty
DO-4_UNF
CATHODE TO CASE
empty
PERFORMANCE CHARACTERISTICS at T = 25°C, unless otherwise noted
C
NO. SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNITS
1. VZ
IZ = 4.0 mA , tp = 100.0 µs, dc = 0.1 %
5.32 5.88
V
2. RZ
IZ = 0.45 A, ∆ IZ = 10.0 % IZ, f = 1.0 kHZ
- 1.0 Ω
3. IR
VR = 1.0 V
- 10.0 µA
4. VF
IF =2.0 A
(1) - 1.5 V
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
Notes
(1)pulse-tested tp ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %
empty
empty
empty
DIMENSIONS
in mm
Marking 1N3997A-SEL
Customer GENERAL PURPOSE
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구 성 | 총 1 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1N3997A-SEL | DIODE | DSI |
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