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부품번호 | 182T2B 기능 |
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기능 | TRANSISTOR | ||
제조업체 | DSI | ||
로고 | |||
Technical Data
TRANSISTOR
maximum ratings
Voltage, Collector to Base (VCBO)
Voltage, Collector to Emitter (VCE)
Voltage, Emitter to Base (VEBO)
Collector Current (IC)
Base Current (IB)
Max. Power Dissipation (PT) at TC = 25 °C
Max. Thermal Resistance (Rth J-C)
Max. Junction Temperature (TJ)
empty
200.0 V
140.0 V
10.0 V
6.0 A
3.0 A
87.5 W
2.0 °C/W
200.0 °C
empty empty
NO.
TYPE
empty
empty
CASE
empty
empty
182T2B
NPN
empty
empty
TO-3
empty
empty
PERFORMANCE CHARACTERISTICS at T = 25°C, unless otherwise noted
C
NO. SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNITS
1. BVCEO
IC = 50.0 mA
(1) 140.0
-
V
2. BVCBO
IE = 3.0 mA
(1) 200.0
-
V
3. ICEO
VCE = 140.0 V
- 1.0 mA
4. ICES
VCE = 180.0 V
- 1.0 mA
5. IEBO
VEB = 10.0 V
- 1.0 mA
6. hFE
IC = 2.0 A, VCE = 4.0 V
(1) 30.0
90.0
-
7. VCE(SAT) IC = 2.0 A, IB = 250.0 mA
(1) - 0.6 V
8. VBE(SAT) IC = 2.0 A, IB = 250.0 mA
(1) - 1.2 V
9. fT
VCE = 15.0 V, IC = 0.5 A, f = 10.0 MHz
10.0 - MHz
10. t(ON)
IC = 5.0 A, IB = 1.0 A
- 1.0 µs
11. tOFF
IC = 5.0 A, IB = 1.0 A
- 6.0 µs
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
Notes
(1)pulse-tested tp ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %
empty
empty
empty
DIMENSIONS
in mm
Marking 182T2B
Customer GENERAL PURPOSE
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구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ 182T2B.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
182T2 | NPN SILICON TRANSISTORS | Comset Semiconductor |
182T2B | TRANSISTOR | DSI |
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