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BSZ013NE2LS5I 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BSZ013NE2LS5I은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSZ013NE2LS5I 자료 제공

부품번호 BSZ013NE2LS5I 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BSZ013NE2LS5I 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 12 페이지수

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BSZ013NE2LS5I 데이터시트, 핀배열, 회로
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSZ013NE2LS5I
DataSheet
Rev.2.0
Final
PowerManagement&Multimarket




BSZ013NE2LS5I pdf, 반도체, 판매, 대치품
OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSZ013NE2LS5I
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current
ID
Pulsed drain current2)
Avalanche current, single pulse3)
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
ID,pulse
IAS
EAS
VGS
Ptot
Tj,Tstg
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-
-16
-
-
-55
Values
Typ. Max.
- 40
- 40
- 40
- 40
- 32
- 160
- 20
- 90
- 16
- 69
- 2.1
- 150
Unit Note/TestCondition
VGS=10V,TC=25°C
VGS=10V,TC=100°C
A VGS=4.5V,TC=25°C
VGS=4.5V,TC=100°C
VGS=10V,TA=25°C,RthJA=60K/W1)
A TC=25°C
A TC=25°C
mJ ID=20A,RGS=25
V-
W
TC=25°C
TA=25°C,RthJA=60K/W1)
°C
IEC climatic category;
DIN IEC 68-1: 55/150/56
3Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
Parameter
Symbol
Thermal resistance, junction - case
Device on PCB,
6 cm2 cooling area1)
RthJC
RthJA
Min.
-
Values
Typ. Max.
- 1.8
Unit Note/TestCondition
K/W -
- - 60 K/W -
1) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
2) See Diagram 3 for more detailed information
3) See Diagram 13 for more detailed information
Final Data Sheet
4 Rev.2.0,2015-08-17

4페이지










BSZ013NE2LS5I 전자부품, 판매, 대치품
5Electricalcharacteristicsdiagrams
OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSZ013NE2LS5I
Diagram1:Powerdissipation
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Ptot=f(TC)
40 80
TC[°C]
120
Diagram2:Draincurrent
50
40
30
20
10
0
160 0
40
ID=f(TC);VGS10V
80
TC[°C]
120
160
Diagram3:Safeoperatingarea
103
1 µs
102 10 µs
100 µs
1 ms
101 10 ms
DC
100
Diagram4:Max.transientthermalimpedance
101
100 0.5
0.2
0.1
10-1 0.05
0.02
0.01
single pulse
10-2
10-1
10-1
100
VDS[V]
ID=f(VDS);TC=25°C;D=0;parameter:tp
101
Final Data Sheet
10-3
102
10-6
10-5
10-4
ZthJC=f(tp);parameter:D=tp/T
10-3
tp[s]
10-2
10-1
100
7 Rev.2.0,2015-08-17

7페이지


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