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BUK7Y18-75B 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK7Y18-75B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUK7Y18-75B 자료 제공

부품번호 BUK7Y18-75B 기능
기능 N-channel TrenchMOS standard level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK7Y18-75B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK7Y18-75B 데이터시트, 핀배열, 회로
BUK7Y18-75B
N-channel TrenchMOS standard level FET
1 March 2013
Product data sheet
1. General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This
product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in
automotive critical applications.
2. Features and benefits
Q101 compliant
Suitable for standard level gate drive sources
Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
3. Applications
12 V, 24 V and 42 V loads
Automotive systems
DC-to-DC converters
Engine management
General purpose power switching
Motors, lamps and solenoids
Transmission control
4. Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
VDS drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C
ID
drain current
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C; Fig. 1; Fig. 4
Ptot total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 2
Static characteristics
RDSon
drain-source on-state VGS = 10 V; ID = 20 A; Tj = 25 °C;
resistance
Fig. 12; Fig. 13
Dynamic characteristics
QGD
gate-drain charge
ID = 20 A; VDS = 60 V; VGS = 10 V;
Fig. 14
Min Typ Max Unit
- - 75 V
- - 49 A
- - 105 W
-
13.8 18
- 14.24 - nC
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BUK7Y18-75B pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK7Y18-75B
N-channel TrenchMOS standard level FET
102
IAL
(A)
10
003aac487
(1)
(2)
1
(3)
Fig. 3.
10-1
10-3
10-2
10-1
1 10
tAL (ms)
(1) Single pulse; Tj = 25°C.
(2) Single pulse; Tj = 150°C.
(3) Repetitive.
Single-pulse and repetitive avalanche rating; avalanche current as a function of avalanche time
103 003aad516
ID (A)
102
Limit RDSon = VDS / ID
tp = 10 µs
100 µs
10
DC 1 ms
1
10 ms
100 ms
10-1
1
10 102 103
VDS (V)
Fig. 4. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
9. Thermal characteristics
Table 6.
Symbol
Rth(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance
from junction to
mounting base
Conditions
Fig. 5
Min Typ Max Unit
- - 1.42 K/W
BUK7Y18-75B
Product data sheet
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1 March 2013
© NXP B.V. 2013. All rights reserved
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BUK7Y18-75B 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BUK7Y18-75B
N-channel TrenchMOS standard level FET
56
gfs
(S)
44
003aad511
32
20
0
20 40 60
ID (A)
Fig. 8. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
40
ID
(A)
30
003aad552
20
10
Tj = 175 °C
25 °C
0
0 2 4 VGS (V) 6
Fig. 9. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
5
VGS(th)
(V)
4
3
2
1
max
typ
min
03aa32
10- 1
ID
(A)
10- 2
10- 3
10- 4
10- 5
03aa35
min typ max
0
- 60
0
60 120 180
Tj (°C)
Fig. 10. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
10- 6
0246
VGS (V)
Fig. 11. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
BUK7Y18-75B
Product data sheet
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1 March 2013
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