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IDM02G120C5 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IDM02G120C5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IDM02G120C5 자료 제공

부품번호 IDM02G120C5 기능
기능 Diode ( Rectifier )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IDM02G120C5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IDM02G120C5 데이터시트, 핀배열, 회로
Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
IDM02G120C5
5th Generation thinQ!™ 1200 V SiC Schottky Diode
Final Data Sheet
Rev. 2.0, 2015-06-22
Industrial Power Control




IDM02G120C5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IDM02G120C5
5th Generation thinQ!™ 1200 V SiC Schottky Diode
Maximum ratings
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Continoues forward current for Rth(j-c,max)
TC = 170°C, D=1
TC = 135°C, D=1
TC = 25°C, D=1
Surge non-repetitive forward current, sine halfwave
TC=25°C, tp=10ms
TC=150°C, tp=10ms
Non-repetitive peak forward current
TC = 25°C, tp=10 µs
i²t value
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
Diode dv/dt ruggedness
VR=0...960 V
Power dissipation
TC = 25°C
Operating and storage temperature
Soldering temperature,
Wave- and reflowsoldering allowed (reflow MSL1)
Symbol
VRRM
IF
IF,SM
IF,max
i²dt
dv/dt
Ptot
Tj;Tstg
Tsold
Value
1200
2
7
14
37
31
344
7.0
4.9
80
98
-55…175
260
Unit
V
A
A²s
V/ns
W
°C
Thermal Resistances
Parameter
Symbol Conditions
min.
Value
typ.
max.
Characteristic
Diode thermal resistance,
junction case
Rth(j-c)
- 1.2 1.5
Thermal resistance,
junction ambient
Rth(j-a)
SMD version, device on PCB,
minimal footprint
SMD version, device on PCB,
6 cm² cooling area2)
-
- 62
35
2) Device on 40 mm*40mm*1.5 epoxy PCB FR4 with 6cm² (one layer, 70µm thick) copper for cathode
connection. PCB is vertical without air stream cooling.
Unit
K/W
Final Data Sheet
4 Rev. 2.0, 2015-06-22

4페이지










IDM02G120C5 전자부품, 판매, 대치품
IDM02G120C5
5th Generation thinQ!™ 1200 V SiC Schottky Diode
Figure 5. Typical capacitance charge as function
of current slope1, QC=f(dIF/dt), Tj=150°C
1) Only capacitive charge, guaranteed by design.
Figure 6. Typical reverse current as function
of reverse voltage, IR=f(VR), parameter: Tj
Figure 7. Max. transient thermal impedance,
Zth,jc=f(tP), parameter: D=tP/T
Figure 8. Typical capacitance as function of
reverse voltage, C=f(VR); Tj=25°C; f=1 MHz
Final Data Sheet
7 Rev. 2.0, 2015-06-22

7페이지


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