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Número de pieza | phmb600e6 | |
Descripción | IGBT | |
Fabricantes | Nihon Inter Electronics | |
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No Preview Available ! IGBT Module-Single
□ 回 路 図 : CIRCUIT
(E)
4
(G)
3
(E)
2
(C)
1
600A,600V
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
110
93 ± 0.25
4
4 - Ø6.5
2 -M8 4 - Ø6.5
2 -M6
1
2
3
2 -M4 13 21
29
2 -M4
QS043-402-20394 (2/5)
PHMB600E6
PHMB600E6C
108
93
9
4
3
2
1
24 20
11
29
LABEL
LABEL
PH MB600E6
PH MB600E6C
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
Item
Symbol
Rated Value
Unit
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
VCES
600
V
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
VGES
±20
V
コレクタ電流
Collector Current
DC
1ms
600
1,200
600
1,200
A
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
PC
2,080
W
接合温度
Junction Temperature Range
Tj
-40~+150
℃
保存温度
Storage Temperature Range
Tstg
-40~+125
℃
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
VISO
2,500
V(RMS)
締 め 付 け ト ル ク Module Base to Heatsink
Mounting Torque
Busbar to Terminals
Ftor
PHMB600E6
3(30.6)
M4 1 4(14 3) PHMB600E6C
M8 10 5(107)
3(30.6)
N・m
M4 1 4(14 3) (kgf・cm)
M6 3(30 6)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic
Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ICES
VCE= 600V, VGE= 0V
- - 1.0 mA
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
IGES
VGE= ±20V,VCE= 0V
- - 1.0 μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC= 600A,VGE= 15V
-
2.1 2.6
V
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
VGE(th)
VCE= 5V,IC= 600mA
4.0
-
8.0
V
入力容量
Input Capacitance
Cies
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
- 30,000 -
pF
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
tr
ton
tf
toff
VCC= 300V
RL= 0.5Ω
RG= 2.0Ω
VGE= ±15V
- 0.15 0.35
-
-
0.30 0.85
0.10 0.25
μs
- 0.40 0.80
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃)
Item
Symbol
Rated Value
Unit
順電流
Forward Current
DC
1ms
IF
IFM
600
1,200
A
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
Symbol Test Condition
VF
trr
IF= 600A,VGE= 0V
IF= 600A,VGE= -10V
di/dt= 1200A/μs
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱抵抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol Test Condition
Rth(j-c) Junction to Case
(Tc測定点チップ直下)
Min.
-
Typ.
1.9
Max. Unit
2.4
V
- 0.15 0.25 μs
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.06
0.14
Unit
℃/W
日本インター株式会社
00
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PDF Descargar | [ Datasheet phmb600e6.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
phmb600e6 | IGBT | Nihon Inter Electronics |
phmb600e6c | IGBT | Nihon Inter Electronics |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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