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PDF phmb600bs12 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | phmb600bs12 | |
| Descripción | IGBT | |
| Fabricantes | Nihon Inter Electronics | |
| Logotipo |  |
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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
(E)
4
(G)
3
(E)
2
(C)
1
６００ Ａ，１２００Ｖ
QS043-402-（2/5）
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
110
93 ±0.25
4 - Ø6.5
2 -M8 4 - Ø6.5
4 2 -M6
1
2
3
2 -M4 13 21
29
2 -M4
108
93
9
4
3
2
1
24 20
11
29
LABEL
LABEL
PH MB600BS12
PH MB600BS12C
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＣＥＳ
１，２００
Ｖ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＧＥＳ
±２０
Ｖ
コレク
Ｃollector
コレク
Ｃollector
タ電流
Ｃurrent
タ損失
Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＣ
ＩＣＰ
ＰＣ
６００
１，２００
３，６００
Ａ
Ｗ
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
－４０～＋１５０
℃
保存温度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
－４０～＋１２５
℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
ＶＩＳＯ
２,５００
Ｖ（ＲＭＳ）
締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｔerminals
Ｆｔｏｒ
３（３０.６）
PHMB600BS12 Ｍ４ １ ４（１４ ３） PHMB600BS12C
Ｍ８ １０ ５(１０７)
３（３０.６）
Ｎ・ｍ
Ｍ４ １ ４（１４ ３） (kgf･cm)
Ｍ６ ３(３０ ６)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V
－ － .０ ｍＡ
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 600A,ＶＧＥ= 15V
－ ２.３ ２.７ Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 600mA
４.０ － ８.０ Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃｉｅｓ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－ 37,800 －
ｐＦ
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Ｒise Ｔime
Ｔurn-on Ｔime
Ｆall Ｔime
Ｔurn-off Ｔime
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 1.0Ω
ＲG= 2.7Ω
ＶＧＥ= ±15V
－ ０.２５ ０.４５
－
０.４０ ０.７０
μｓ
－ ０.２５ ０.３５
－ ０.８０ １.１０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
順電流
Ｆorward Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＦ
ＩＦＭ
６００
１,２００
Ａ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順電圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＦ
ｔｒｒ
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱抵抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒth(j-c)
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= 0V
ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 1200A/μs
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
２.２
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
２.６
Ｖ
－
０.２ ０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
－
０.０３５
０.０７１
℃／Ｗ
日本インター株式会社
00
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| phmb600bs12 | IGBT | Nihon Inter Electronics |
| phmb600bs12c | IGBT | Nihon Inter Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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