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IKW50N65WR5 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IKW50N65WR5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IKW50N65WR5 자료 제공

부품번호 IKW50N65WR5 기능
기능 Reverse conducting IGBT
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IKW50N65WR5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 15 페이지수

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IKW50N65WR5 데이터시트, 핀배열, 회로
ReverseConductingSeries
ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode
IKW50N65WR5
Datasheet
InductrialPowerControl




IKW50N65WR5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IKW50N65WR5
ReverseConductingSeries
MaximumRatings
Foroptimumlifetimeandreliability,Infineonrecommendsoperatingconditionsthatdonotexceed80%ofthemaximumratingsstatedinthisdatasheet.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emittervoltage,Tvj25°C
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°Cvaluelimitedbybondwire
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
VCE
IC
ICpuls
650
80.0
50.0
150.0
V
A
A
Turn off safe operating area
VCE650V,Tvj175°C,tp=1µs
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°Cvaluelimitedbybondwire
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
Gate-emitter voltage
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
-
150.0
A
IF
IFpuls
VGE
Ptot
Tvj
Tstg
37.0
22.0
150.0
±20
282.0
141.0
-40...+175
-55...+150
A
A
V
W
°C
°C
Soldering temperature,
wave soldering 1.6mm (0.063in.) from case for 10s
260 °C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Diode thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.53 K/W
2.29 K/W
40 K/W
4 Rev.1.2,2015-03-27

4페이지










IKW50N65WR5 전자부품, 판매, 대치품
ReverseConductingSeries
IKW50N65WR5
100
not for linear use
10
280
240
200
160
120
1 80
40
0.1
1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 1. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tvj175°C,VGE=15V,tp=1µs)
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 2. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tvj175°C)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
ICmax
max. current limited by bondwire
50 75 100 125 150
TC,CASETEMPERATURE[°C]
175
Figure 3. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE15V,Tvj175°C)
150
140 VGE = 20V
130 17V
120 15V
110 13V
100 11V
90 9V
80 8V
70 7V
60 6V
50
40
30
20
10
0
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4 2.7 3.0
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 4. Typicaloutputcharacteristic
(Tvj=25°C)
7 Rev.1.2,2015-03-27

7페이지


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