Datasheet.kr   

4GBJ1006L 데이터시트 PDF




HY ELECTRONIC에서 제조한 전자 부품 4GBJ1006L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 4GBJ1006L 자료 제공

부품번호 4GBJ1006L 기능
기능 BRIDGE RECTIFIERS
제조업체 HY ELECTRONIC
로고 HY ELECTRONIC 로고


4GBJ1006L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

4GBJ1006L 데이터시트, 핀배열, 회로
GLASS PASSIVATED
BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Rating to 600V PRV
Ideal for printed circuit board
Low forward voltage drop,high current capability
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
technique results in inexpensive product
The plastic material has UL flammability
classification 94V-0
4GBJ1006L
REVERSE VOLTAGE - 600Volts
FORWARD CURRENT - 10 Amperes
? .134(3.4)
? .122(3.1)
.118(3.0)*45°
4GBJ
.995(25.3)
.983(24.7)
+~ ~-
.057(1.45)
.041(1.05)
.083(2.1)
.069(1.7)
.043(1.1)
.035(0.9)
.303(7.7) .303(7.7) .303(7.7) SPACING
.287(7.3) .287(7.3) .287(7.3)
.189(4.8)
.173(4.4)
.150(3.8)
.134(3.4)
.114(2.9)
.098(2.5)
.031(0.8)
.023(0.6)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
SYMBOL
4GBJ1006L
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
Rectified Current @ TC=110(without heatsink)
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 5.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@ TJ=25
@ TJ=125
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms)
Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
VRRM
VRMS
VDC
I(AV)
IFSM
VF
IR
I2t
CJ
RθJC
TJ
TSTG
600
420
600
10.0
3.0
210
0.92
10.0
127
183
55
1.4
-55 to +150
-55 to +150
NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Device mounted on 150mm*150mm*1.6mm Cu plate heatsink.
3.The typical data above is for reference only(典型值仅供参考).
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
A2s
pF
/W
REV. 2, 18-Aug-2015





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ 4GBJ1006L.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
4GBJ1006

(4GBJ10005 - 4GBJ1010) GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

HY ELECTRONIC
HY ELECTRONIC
4GBJ1006F

BRIDGE RECTIFIERS

HY ELECTRONIC
HY ELECTRONIC

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵