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CHT4124PT 데이터시트 PDF




CHENMKO에서 제조한 전자 부품 CHT4124PT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CHT4124PT 자료 제공

부품번호 CHT4124PT 기능
기능 General Purpose Transistor
제조업체 CHENMKO
로고 CHENMKO 로고


CHT4124PT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CHT4124PT 데이터시트, 핀배열, 회로
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
SURFACE MOUNT
General Purpose Transistor
VOLTAGE 25 Volts CURRENT 200 mAmpere
CHT4124PT
APPLICATION
* AF input stages and driver applicationon equipment.
* Other general purpose applications.
FEATURE
* Small surface mounting type. (SOT-23)
* High current gain.
* Suitable for high packing density.
* Low colloector-emitter saturation.
* High saturation current capability.
CONSTRUCTION
* NPN Switching Transistor
MARKING
* KT
SOT-23
(1)
(3)
(2)
.055 (1.40)
.047 (1.20)
.103 (2.64)
.086 (2.20)
.028 (0.70)
.020 (0.50)
CIRCUIT
3
1
2
.045 (1.15)
.033 (0.85)
Dimensions in inches and (millimeters)
SOT-23
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
open emitter
open base
open collector
Tamb 25 °C; note 1
Tstg
Tj
Tamb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
MIN.
65
65
MAX.
30
25
5
200
350
+150
150
+150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
2004-11




CHT4124PT pdf, 반도체, 판매, 대치품
RATING CHARACTERISTIC CURVES ( CHT4124PT )
Typical Characteristics
Noise Figure vs Frequency
12
I C = 1.0 mA
10 R S = 200
I C = 50 µA
8 R S = 1.0 k
V CE = 5.0V
I C = 0.5 mA
6 R S = 200
4
2
I C = 100 µA, R S = 500
0
0.1 1
10 100
f - FREQUENCY (kHz)
Current Gain and Phase Angle
vs Frequency
50
45 h fe
40
35
30
25 θ
20
15
10 V CE = 40V
5 I C = 10 mA
0
1 10 100
f - FREQUENCY (MHz)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1000
Turn-On Time vs Collector Current
500
IB1 = IB2=
Ic
10
40V
100 15V
t r @ V CC = 3.0V
2.0V
10
t d @ VCB = 0V
5
1 10
100
I C - COLLECTOR CURRENT (mA)
Noise Figure vs Source Resistance
12
I C = 1.0 mA
10
I C = 5.0 mA
8
I C= 50 µA
6
4 I C= 100 µA
2
0
0.1 1 10 100
R S - SOURCE RESISTANCE ( k)
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
1
0.75
0.5
0.25
0
0 25 50 75 100 125 150
TEMPERATURE (oC)
Rise Time vs Collector Current
500
VCC = 40V
IB1 = IB2 =
Ic
10
100
T J = 125°C
T J = 25°C
10
5
1 10 100
I C - COLLECTOR CURRENT (mA)

4페이지












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