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SQ1902AEL 데이터시트 PDF




Vishay에서 제조한 전자 부품 SQ1902AEL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SQ1902AEL 자료 제공

부품번호 SQ1902AEL 기능
기능 Automotive Dual N-Channel MOSFET
제조업체 Vishay
로고 Vishay 로고


SQ1902AEL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SQ1902AEL 데이터시트, 핀배열, 회로
www.vishay.com
SQ1902AEL
Vishay Siliconix
Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V
RDS(on) (Ω) at VGS = 2.5 V
ID (A)
Configuration
Package
20
0.415
0.600
0.78
Dual
SC-70
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested
• AEC-Q101 qualified c
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
SOT-363
SC-70 Dual (6 leads)
S2
G2 4
D1 5
6
Marking Code: 9P
1
S1
Top View
2
G1
3
D2
D1 D2
G1 G2
S1
N-Channel MOSFET
S2
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
TC = 25 °C
TC = 125 °C
Pulsed Drain Current a
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
L = 0.1 mH
Maximum Power Dissipation a
TC = 25 °C
TC = 125 °C
Operating Junction and Storage Temperature Range
VDS
VGS
ID
IS
IDM
IAS
EAS
PD
TJ, Tstg
LIMIT
20
± 12
0.78
0.45
0.54
3
3.5
0.6
0.43
0.14
-55 to +175
UNIT
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
Junction-to-Ambient
Junction-to-Foot (Drain)
Notes
a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.
b. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).
c. Parametric verification ongoing.
PCB Mount b
SYMBOL
RthJA
RthJF
LIMIT
460
350
UNIT
°C/W
S15-1917-Rev. A, 17-Aug-15
1
Document Number: 62977
For technical questions, contact: [email protected]
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000




SQ1902AEL pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
1 1.0
SQ1902AEL
Vishay Siliconix
TJ = 150 °C
0.1
0.8
0.6
0.01
TJ = 25 °C
0.001
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
1.2
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
ID = 5 mA
ID = 250 μA
- 0.7
0.4
TJ = 150 °C
0.2
TJ = 25 °C
0
01 2 345
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
28
ID = 1 mA
27
26
25
24
- 1.0
- 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Temperature (°C)
Threshold Voltage
10
23
- 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
IDM Limited
1 Limited by RDS(on)*
100 μs
1 ms
10 ms
0.1
100 ms
0.01
TC = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
1s
10 s, DC
0.01 0.1 1 10 100
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
* VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified
Safe Operating Area
S15-1917-Rev. A, 17-Aug-15
4
Document Number: 62977
For technical questions, contact: [email protected]
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SQ1902AEL 전자부품, 판매, 대치품
SCĆ70: 6ĆLEADS
654
123
eb
e1
D
E1 E
-B-
-A-
A2 A
A1
Package Information
Vishay Siliconix
c
L
MILLIMETERS
Dim Min Nom Max
A 0.90 – 1.10
A1
– 0.10
A2 0.80 – 1.00
b 0.15 – 0.30
c 0.10 – 0.25
D 1.80 2.00 2.20
E 1.80 2.10 2.40
E1 1.15 1.25 1.35
e 0.65BSC
e1 1.20 1.30 1.40
L 0.10 0.20 0.30
7_Nom
ECN: S-03946—Rev. B, 09-Jul-01
DWG: 5550
INCHES
Min Nom Max
0.035 – 0.043
– – 0.004
0.031 – 0.039
0.006 – 0.012
0.004 – 0.010
0.071 0.079 0.087
0.071 0.083 0.094
0.045 0.049 0.053
0.026BSC
0.047 0.051 0.055
0.004 0.008 0.012
7_Nom
Document Number: 71154
06-Jul-01
www.vishay.com
1

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