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SQ4184EY 데이터시트 PDF




Vishay에서 제조한 전자 부품 SQ4184EY은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SQ4184EY 자료 제공

부품번호 SQ4184EY 기능
기능 Automotive N-Channel MOSFET
제조업체 Vishay
로고 Vishay 로고


SQ4184EY 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SQ4184EY 데이터시트, 핀배열, 회로
www.vishay.com
SQ4184EY
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V
RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V
ID (A)
Configuration
Package
40
0.0046
0.0056
29
Single
SO-8
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• AEC-Q101 qualified
• 100 % Rg and UIS tested
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
SO-8 Single
D
D5
D6
D7
8
D
G
4
3G
2S
1S
S
Top View
N-Channel MOSFET
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Pulsed Drain Current a
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
TC = 25 °C
TC = 125 °C
L = 0.1 mH
TC = 25 °C
TC = 125 °C
VDS
VGS
ID
IS
IDM
IAS
EAS
PD
TJ, Tstg
LIMIT
40
± 20
29
16.9
6.4
84
50
125
7.1
2.3
-55 to +175
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
Junction-to-Ambient
PCB Mount b
Junction-to-Foot (Drain)
Notes
a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.
b. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).
SYMBOL
RthJA
RthJF
LIMIT
80
21
UNIT
V
A
mJ
W
°C
UNIT
°C/W
S15-2285-Rev. C, 28-Sep-15
1
Document Number: 67375
For technical questions, contact: [email protected]
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000




SQ4184EY pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
SQ4184EY
Vishay Siliconix
10
ID = 5 A
8
6
4
VDS = 20 V
2.0
ID = 5 A
1.7
1.4
1.1
VGS = 10 V
VGS = 4.5 V
2 0.8
0
0 20 40 60 80
Qg - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.5
- 50 - 25
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
100 0.025
10
TJ = 150 °C
1
0.020
0.015
0.1
0.01
TJ = 25 °C
0.001
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
0.010
0.005
0.000
0
TJ = 150 °C
TJ = 25 °C
2468
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
10
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.6 50
0.3
ID = 1 mA
48
0.0
46
-0.3
ID = 5 mA
44
-0.6
ID = 250 μA
-0.9
42
-1.2
- 50 - 25 0
25 50 75 100 125 150 175
TJ - Temperature (°C)
Threshold Voltage
40
-50 -25 0
25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S15-2285-Rev. C, 28-Sep-15
4
Document Number: 67375
For technical questions, contact: [email protected]
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SQ4184EY 전자부품, 판매, 대치품
www.vishay.com
REVISION HISTORY a
REVISION
DATE
C 21-Sep-15 • Rg and some timing changed
Note
a. As of April 2014
DESCRIPTION OF CHANGE
SQ4184EY
Vishay Siliconix
S15-2285-Rev. C, 28-Sep-15
7
Document Number: 67375
For technical questions, contact: [email protected]
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