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BGA622L7 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BGA622L7은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BGA622L7 자료 제공

부품번호 BGA622L7 기능
기능 Silicon Germanium Wide Band Low Noise Amplifier
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BGA622L7 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BGA622L7 데이터시트, 핀배열, 회로
Data Sheet, Rev. 2.2, April 2008
BGA622L7
Silicon Germanium Wide Band Low Noise
Amplifier with 2 kV ESD Protection
Small Signal Discretes




BGA622L7 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BGA622L7
Silicon Germanium Wide Band Low Noise Amplifier with 2 kV ESD Protection
1 Silicon Germanium Wide Band Low Noise Amplifier with 2 kV ESD
Protection
Feature
• High gain
|S21|2 = 17.5 dB at 1.575 GHz
|S21|2 = 16.8 dB at 1.9 GHz
|S21|2 = 16.2 dB at 2.14 GHz
• Low noise figure, NF = 0.95 dB at 1.575 GHz
• Operating frequency range 0.5 - 6 GHz
• Typical supply voltage: 2.75 V
• On/Off-Switch
• Output-match on chip, input pre-matched
• Low external part count
• Tiny TSLP-7-1 leadless package
• 70 GHz fT - Silicon Germanium technology
• 2 kV HBM ESD protection (Pin-to-Pin)
• Pb-free (RoHS compliant) package
65
4
7
12 3
TSLP-7-1
Applications
• LNA for GSM, GPS, DCS, PCS, UMTS, Bluethooth, ISM and WLAN
9FF
Figure 1 Pin connection
,Q
2XW
2Q2II
N2KP
*1'
%*$/B3LQBFRQQHFWLRQYVG
Description
The BGA622L7 is a wide band low noise amplifier, based on Infineon Technologies’ Silicon Germanium
Technology B7HF. The out-pin is simultaneously used for RF out and On/Off switch. This functionality can be
accessed using a RF-Choke at the Out pin, where a DC level of 0 V or an open switches the device on and a DC
level of VCC switches off, it provides an insertion loss of 26 dB together with a high IIP3 up to 24 dBm at GPS
frequencies.
Type
BGA622L7
Package
TSLP-7-1
Marking
BX
Note: ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution
Data Sheet
4 Rev. 2.2, 2008-04-14

4페이지










BGA622L7 전자부품, 판매, 대치품
BGA622L7
Electrical Characteristics
3.2
Electrical Characteristics
VCC = 2.75 V, Frequency =
at TA = 25
2.14 GHz,
°C (measured according to
unless otherwise specified
Figure
2)
Table 4 Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit Note /
Test Condition
Insertion power gain
|S21|2
16.2
dB
Insertion power gain (Off-State)
|S21|2
-23
dB
Input return loss (On-State)
RLin
6
dB
Output return loss (On-State)
RLout
12
dB
Noise figure (ZS = 50 Ω)
F50
1.05
dB
Input third order intercept point1)
(On-State)
IIP3
0
dBm f = 1 MHz,
PIN = -28 dBm
Input third order intercept point1)
(Off-State)
IIP3
22
dBm f = 1 MHz,
PIN = -8 dBm
Input power at 1 dB gain compression P-1dB
-16
dBm
1) IP3 values depends on termination of all intermodulation frequency components. Termination used for this measurement
is 50 from 0.1 to 6 GHz
Data Sheet
7 Rev. 2.2, 2008-04-14

7페이지


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