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MBR6045R 데이터시트 PDF




GeneSiC에서 제조한 전자 부품 MBR6045R은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MBR6045R 자료 제공

부품번호 MBR6045R 기능
기능 Silicon Power Schottky Diode
제조업체 GeneSiC
로고 GeneSiC 로고


MBR6045R 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 3 페이지수

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MBR6045R 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 45 V to 100 V VRRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
MBR6045 thru MBR60100R
VRRM = 45 V - 100 V
IF = 60 A
DO-5 Package
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Symbol
Conditions
MBR6045 (R) MBR6060 (R) MBR6080 (R) MBR60100 (R) Unit
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
VRRM
VRMS
VDC
IF
IF,SM
Tj
Tstg
TC 100 °C
TC = 25 °C, tp = 8.3 ms
45
32
45
60
700
-55 to 150
-55 to 150
60
42
60
60
700
-55 to 150
-55 to 150
80
50
80
60
700
-55 to 150
-55 to 150
100
70
100
60
700
-55 to 150
-55 to 150
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
MBR6045 (R) MBR6060(R) MBR6080 (R) MBR60100 (R) Unit
Diode forward voltage
Reverse current
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction -
case
VF IF = 60 A, Tj = 25 °C
IR
VR = 20 V, Tj = 25 °C
VR = 20 V, Tj = 125 °C
RthJC
0.65
5
150
1.0
0.75
5
150
1.0
0.84
5
150
1.0
0.84 V
5
150
mA
1.0 °C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
1





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