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부품번호 | PJA3415 기능 |
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기능 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | Pan Jit International | ||
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전체 6 페이지수
PPJA3415
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Voltage
-20 V Current
-4.0A
Features
RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.0A<57mΩ
RDS(ON) , VGS@-2.5V, ID@-2.8A<70mΩ
RDS(ON) , VGS@-1.8V, ID@-2.1A<95mΩ
Advanced Trench Process Technology
Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
directive.
Green molding compound as per IEC61249 Std.
(Halogen Free)
Mechanical Data
Case: SOT-23 Package
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.0003 ounces, 0.0084 grams
Marking: A15
SOT-23
Unit : inch(mm)
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA=25oC unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Ta=25oC
Derate above 25oC
Operating Junction and Storage Temperature Range
Typical Thermal resistance
- Junction to Ambient (Note 3)
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ,TSTG
RθJA
LIMIT
-20
+12
-4.0
-16
1.25
10
-55~150
100
UNITS
V
V
A
A
W
mW/ oC
oC
oC/W
February 17,2014-REV.00
Page 1
PPJA3415
TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES
Fig.7 Gate-Charge Characteristics
Fig.8 Threshold Voltage Variation with Temperature.
Fig.9 Capacitance vs. Drain-Source Voltage.
February 17,2014-REV.00
Page 4
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구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PJA3411 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Pan Jit International |
PJA3412 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Pan Jit International |
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