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K2007 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 K2007은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K2007 자료 제공

부품번호 K2007 기능
기능 MOSFET ( Transistor ) - 2SK2007
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


K2007 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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K2007 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK2007
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
No Secondary Breakdown
Suitable for Switching regulator, DC - DC converter, Motor Control
Outline
TO-3P
D
G1
2
3
1. Gate
2. Drain
(Flange)
S
3. Source




K2007 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK2007
Power vs. Temperature Derating
150
100
50
0 50 100 150
Case Temperature Tc (°C)
Typical Output Characteristics
50
10 V 8 V Pulse Test
40 6 V
30 5.5 V
20
5V
10
VGS = 4 V
0 4 8 12 16 20
Drain to Source Voltage VDS (V)
Maximum Safe Operation Area
100 10 µs
30 µ
10
DC
3
1
Operation
Operation in this
area is limited
by R DS (on)
(Tc
=
25°C)
0.3
Ta = 25°C
0.1
1 3 10 30 100 300 1000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
50
VDS = 10 V
40 Pulse Test
30
20
–25°C
10 Tc = 25°C
75°C
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
4

4페이지










K2007 전자부품, 판매, 대치품
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
40 Pulse Test
30
20
10 10 V
VGS = 0, –5 V
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
2SK2007
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1.0 D = 1
0.5
TC = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.03 10S.0h1ot Pulse
0.01
10 µ 100 µ
θch–c (t) = γS (t) · θch–c
θch–c = 1.25°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (s)
1
10
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vout Monitor
Vin
10 V
50
D.U.T
RL
V=..D3D0 V
Waveforms
90%
Vin 10%
Vout 10%
td (on)
90%
tr
90%
td (off)
10%
tf
7

7페이지


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다운로드[ K2007.PDF 데이터시트 ]

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