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BLP8G10S-45PG 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLP8G10S-45PG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BLP8G10S-45PG 자료 제공

부품번호 BLP8G10S-45PG 기능
기능 Power LDMOS transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLP8G10S-45PG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLP8G10S-45PG 데이터시트, 핀배열, 회로
BLP8G10S-45P;
BLP8G10S-45PG
Power LDMOS transistor
Rev. 1 — 25 July 2013
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
The BLP8G10S-45P and BLP8G10S-45PG are dual path, 45 W LDMOS power
transistors for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.
Table 1. Application performance
Typical RF performance at Tcase = 25 C; IDq = 224 mA in common source class-AB production
circuit.
Test signal
f
VDS
PL(AV)
Gp
D
ACPR
(MHz)
(V) (W)
(dB) (%) (dBc)
2-carrier W-CDMA
960 28 2.5 20.8 19.8 49 [1]
[1] Test signal: 3GPP; test model 1; 64 DPCH; PAR = 8.4 dB at 0.01% probability on CCDF;
carrier spacing = 5 MHz; per section unless otherwise specified.
1.2 Features and benefits
High efficiency
Excellent ruggedness
Designed for broadband operation (700 MHz to 1000 MHz)
Excellent thermal stability
High power gain
Integrated ESD protection
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
1.3 Applications
W-CDMA
LTE
GSM




BLP8G10S-45PG pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BLP8G10S-45P; BLP8G10S-45PG
Power LDMOS transistor
7.2 Impedance information
Table 8. Typical impedance BLP8G10S-45P
Measured load-pull data. Typical values per section unless otherwise specified.
f
(MHz)
ZS [1]
()
ZL [1][2]
()
BLP8G10S-45P
720
11.6 j12.9
5.44 + j6.34
746
14.8 j9.2
4.51 + j6.03
757
15.3 j4.6
4.23 + j6.15
791
13.3 j1.6
3.99 + j5.62
820
6.5 j1.1
3.87 + j5.37
869
5.2 j2.4
4.25 + j4.49
894
4.4 j3.0
3.69 + j4.89
925
3.8 j3.9
3.49 + j4.72
942
3.6 j4.2
3.06 + j4.46
960
3.6 j4.7
3.29 + j4.04
BLP8G10S-45PG
720
13.2 j7.7
4.34 + j5.10
746
11.8 j4.6
4.58 + j4.94
757
10.4 j3.7
4.50 + j5.34
791
9.8 j2.5
4.19 + j4.87
869
5.0 j4.0
4.27 + j3.42
881
4.6 j4.2
3.62 + j3.45
894
4.2 j4.7
3.77 + j3.29
925
3.8 j5.6
3.60 + j3.15
942
3.7 j5.8
3.29 + j2.89
961
3.6 j6.4
3.36 + j2.47
[1] ZS and ZL defined in Figure 1.
[2] ZL is selected for maximum efficiency.
gate
ZS
Fig 1. Definition of transistor impedance
drain
ZL
001aaf059
BLP8G10S-45P_8G10S-45PG
Product data sheet
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BLP8G10S-45PG 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BLP8G10S-45P; BLP8G10S-45PG
Power LDMOS transistor

*S
G%

DDD










     
3/ :
VDS = 28 V; IDq = 224 mA; carrier spacing = 5 MHz;
fc = 960 MHz
(1) Tcase = 15 C
(2) Tcase = 25 C
(3) Tcase = 55 C
(4) Tcase = 85 C
Fig 6. Power gain as a function of output power per
section; typical values

Ș'


DDD
 







     
3/ :
VDS = 28 V; IDq = 224 mA; carrier spacing = 5 MHz;
fc = 960 MHz
(1) Tcase = 15 C
(2) Tcase = 25 C
(3) Tcase = 55 C
(4) Tcase = 85 C
Fig 7. Drain efficiency as a function of output power
per section; typical values

$&350
G%F
DDD



 




     
3/ :
VDS = 28 V; IDq = 224 mA; carrier spacing = 5 MHz; fc = 960 MHz
(1) Tcase = 15 C
(2) Tcase = 25 C
(3) Tcase = 55 C
(4) Tcase = 85 C
Fig 8. Adjacent channel power ratio (5 MHz) as a function of output power per section; typical values
BLP8G10S-45P_8G10S-45PG
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