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부품번호 | P2003BVG 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Niko | ||
로고 | |||
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode Field
Effect Transistor
P2003BVG
SOP-8
Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30 20m
ID
8A
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 70 °C
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 70 °C
Junction & Storage Temperature Range
Lead Temperature (1/16” from case for 10 sec.)
VDS
VGS
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
TL
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Ambient
RθJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle ≤ 1%
TYPICAL
G : GATE
D : DRAIN
S : SOURCE
LIMITS
30
±20
8
6
32
2.5
1.6
-55 to 150
275
UNITS
V
V
A
W
°C
MAXIMUM
50
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
ID(ON)
STATIC
VGS = 0V, ID = 250µA
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 24V, VGS = 0V
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 55 °C
VDS = 5V, VGS = 10V
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
30
1 1.5 2.5
V
±100 nA
1
µA
10
8A
1 JUL-25-2005
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode Field
Effect Transistor
P2003BVG
SOP-8
Lead-Free
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
102
101 R ds(on)Limit
100
100µS
10ms
100ms
1ms
1s
10s
DC
10-1 VGS= 10V
SINGLE PULSE
R =JA 125 °C/W
10-12 0-1TA = 25 °C
100
101
VDS,DRAIN - SOURCE VOLTAGE
102
4
JUL-25-2005
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P2003BV | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
P2003BVG | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Niko |
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