|
|
|
부품번호 | E65A21VBS 기능 |
|
|
기능 | STACK SILICON DIFFUSED DIODE | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
E65A21VBS, E65A21VBR
STACK SILICON DIFFUSED DIODE
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.
FEATURES
Average Forward Current : IO=65A.
Zener Voltage : 21V(Typ.)
POLARITY
E65A21VBS (+ Type)
E65A21VBR (- Type)
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Average Forward Current
Peak 1 Cycle Surge Current
IF(AV)
IFSM
Non-Repetitive Peak
Reverse Surge Current (10mS)
IRSM
Transient Peak Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Junction Temperature
VRSM
VRM
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING
65
450 (60Hz)
65
19
16
-40 215
-40 215
UNIT
A
A
A
V
V
A
K
H
EI
JD
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
MILLIMETERS
Φ11.5 MAX
Φ12.75+0.09-0.00
Φ1.3+_ 0.04
4.2+_ 0.2
8.0+_ 0.2
TYP 0.5
Φ10.0+_ 0.2
0.4 +_ 0.1x45
8.5 MAX
0.2+0.1
28.35+_ 0.5
F
G
B
B-PF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Forward Voltage
Zener Voltage
VF
VZ
Reverse Current
IR
Transient Thermal Resistance
Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
VF
Vbr
HIR
Temperature Resistance
Rth
TEST CONDITION
IFM=100A
IZ=10mA
VR=20V
IFM=100A, IM=100mA, Pw=100mS
Irsm=65A, Pw=10mS
Ta=150 , VR=20V
DC total junction to case
MIN.
-
19
-
-
-
-
-
TYP.
-
21
-
-
-
-
-
MAX.
1.05
23
0.3
50
34
UNIT
V
V
A
mV
V
100 A
0.5 /W
2004. 3. 11
Revision No : 0
1/1
| |||
구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ E65A21VBS.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
E65A21VBR | STACK SILICON DIFFUSED DIODE | KEC |
E65A21VBS | STACK SILICON DIFFUSED DIODE | KEC |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |