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55PT 데이터시트 PDF




nELL에서 제조한 전자 부품 55PT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 55PT 자료 제공

부품번호 55PT 기능
기능 Stansard SCRs
제조업체 nELL
로고 nELL 로고


55PT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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55PT 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
55PT Series RRooHHSS
Stansard SCRs, 55A
Main Features
Symbol
IT(RMS)
VDRM/VRRM
IGT
Value
55
600 to 1600
80
Unit
A
V
mA
DESCRIPTION
The 55PT series of silicon controlled rectifiers are
high performance glass passivated technology,
and are suitable for general purpose applications,
where power handling and power dissipation are
critical, such as solid state relay, welding equipment
and high power motor control.
Base on a clip assembly technology, they offer a
superior performance in surge current capabilities.
Thanks to their internal ceramic pad, they provide
high voltage insulation(2500VRMS).
K
K AG
KAG
TO-220AB (non-Insulated) TO-220AB (lnsulated)
(55PTxxA)
(55PTxxAI)
A
K AG
TO-3P (non-Insulated)
(55PTxxB)
A
KAG
TO-3P (Insulated)
(55PTxxBI)
KA
G
TO-263 (D2PAK)
(55PTxxH)
KA
G
2(A)
TO-247AB (non-Insulated)
(55PTxxC)
3(G)
1(K)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
RMS on-state current full sine wave
(180° conduction angle )
Average on-state current
(180° conduction angle)
Non repetitive surge peak on-state
current (full cycle, Tj initial = 25°C)
I2t Value for fusing
Critical rate of rise of on-state current
VD = 67% VDRM, tp = 200μs, IG = 0.3A
dIG/dt = 0.3A/μs
IT(RMS)
IT(AV)
ITSM
I2t
TO-3P/TO-247AB
TO-220AB/TO-263
TO-220AB insulated/TO-3P insulated
TO-3P/TO-247AB
TO-220AB/TO-263
TO-220AB insulated/TO-3P insulated
F =50 Hz
F =60 Hz
tp = 10 ms
Tc=85°C
Tc=80°C
Tc=70°C
Tc=85°C
Tc=80°C
Tc=70°C
t = 20 ms
t = 16.7 ms
dI/dt F = 60 Hz
Tj = 125ºC
Peak gate current
Maximum gate power
Average gate power dissipation
Repetitive peak off-state voltage
Repetitive peak reverse voltage
Storage temperature range
IGM
PGM
PG(AV)
VDRM
VRRM
Tstg
Tp = 20 µs
Tp =20µs
Tj =125ºC
Tj =125ºC
Tj = 125ºC
Tj = 125ºC
Operating junction temperature range
Tj
Maximum peak reverse gate voltage VRGM
VALUE
55
35
520
540
1352
150
5
10
2
600 to 1600
- 40 to + 150
- 40 to + 125
5
UNIT
A
A
A
A2s
A/µs
A
W
W
V
ºC
V
www.nellsemi.com
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55PT pdf, 반도체, 판매, 대치품
SEMICONDUCTOR
55PT Series RRooHHSS
Fig.5 Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with
width tp < 10 ms, and corresponding
value of l2t .
ITSM (A), l2t (A2s)
10000
dI/dt 150A/µs
1000
ITSM
Tj initial=25°C
I2t
t=10ms
Half cycle
100
0.01
tp (ms)
0.1
1.0
10.0
Fig.6 Relative variations of gate trigger
current, holding current and latching
current versus junction temperature
(typical values)
lGT,lH,lL[Tj] / lGT,lH,lL [Tj=25°C]
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0 lH&lL
0.5
0.0
-40 -20
0
lGT
Tj(°C)
20 40 60
80 100 120 140
Case Style
TO-220AB
10.54 (0.415) MAX.
9.40 (0.370)
9.14 (0.360)
3.91 (0.154)
3.74 (0.148)
2.87 (0.113)
2.62 (0.103)
4.06 (0.160)
3.56 (0.140)
PIN
KAG
16.13 (0.635)
15.87 (0.625)
3.68 (0.145)
3.43 (0.135)
8.89 (0.350)
8.38 (0.330)
29.16 (1.148)
28.40 (1.118)
1.45 (0.057)
1.14 (0.045)
2.67 (0.105)
2.41 (0.095)
2.65 (0.104)
2.45 (0.096)
0.90 (0.035)
0.70 (0.028)
5.20 (0.205)
4.95 (0.195)
14.22 (0.560)
13.46 (0.530)
0.56 (0.022)
0.36 (0.014)
4.70 (0.185)
4.44 (0.1754)
1.39 (0.055)
1.14 (0.045)
15.32 (0.603)
14.55 (0.573)
2.79 (0.110)
2.54 (0.100)
2(A)
3(G)
1(K)
www.nellsemi.com
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