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JCS10N65ST 데이터시트 PDF




JILIN SINO-MICROELECTRONICS에서 제조한 전자 부품 JCS10N65ST은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 JCS10N65ST 자료 제공

부품번호 JCS10N65ST 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 JILIN SINO-MICROELECTRONICS
로고 JILIN SINO-MICROELECTRONICS 로고


JCS10N65ST 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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JCS10N65ST 데이터시트, 핀배열, 회로
N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A
VDSS 650 V
Rdson(@Vgs=10V) 0.95
Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High frequency switching
mode power supply
z Electronic ballast
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
zCrss (典型值 20pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 20pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
JCS10N65CT-O-C-N-B
JCS10N65FT-O-F-N-B
JCS10N65FT-R-F-N-B
JCS10N65BT-O-C-N-B
JCS10N65ST-O-F-N-B
JCS10N65ST-O-F-N-B
JCS10N65CT
JCS10N65FT
JCS10N65FT
JCS10N65BT
JCS10N65ST
JCS10N65ST
封装
Package
TO-220C
TO-220MF
TO-220MF
TO-262
TO-263
TO-263
无卤素
Halogen
Free
NO
NO
YES
NO
NO
否 NO
包装
Packaging
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
编带 Reel
器件重量
Device
Weight
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
2.20 g(typ)
1.71 g(typ)
1.37 g(typ)
1.37 g(typ)
版本:201208E
1/12




JCS10N65ST pdf, 반도체, 판매, 대치품
R JCS10N65T
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
延迟时间 Turn-Off delay time
下降时间 Turn-Off Fall time
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VDD=300V,ID=9.5A,RG=25
note 45
VDS =480V ,
ID=9.5A
VGS =10V note 45
- 68 91 ns
- 109 150 ns
- 214 300 ns
- 85 165 ns
- 34 45 nC
- 6.9 - nC
- 12 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS - - 9.5 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM - - 38 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD VGS=0V, IS=9.5A
- 1.05 - V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr VGS=0V, IS=9.5A
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr dIF/dt=100A/μs (note 4)
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
- 425 - ns
- 4.31 - μC
项目
Parameter
最大
符号
Symbol
Max
JCS10N65CT/BT/ST JCS10N65FT
单位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.7
2.5 /W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5 /W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=14.5mH, IAS=9.5A, VDD=50V, RG=25 ,起始
结温 TJ=25
3ISD 9.5A,di/dt 300A/μs,VDDBVDSS,起始结温
TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度300μs,占空比2
5:基本与工作温度无关
Notes:
1Pulse width limited by maximum junction
temperature
2L=14.5mH, IAS=9.5A, VDD=50V, RG=25 ,Starting
TJ=25
3ISD 9.5A,di/dt 300A/μs,VDDBVDSS, Starting
TJ=25
4Pulse TestPulse Width 300μs,Duty Cycle2
5Essentially independent of operating temperature
版本:201208E
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JCS10N65ST 전자부품, 판매, 대치품
R
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS10N65CT/BT/ST
1
JCS10N65T
0 .1
0 .0 1
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
N o te s :
1 Z θ J C(t)= 0 .7 /W M a x
2 D u ty F a c to r, D = t1 /t2
3 T J M -T c = P D M * Z θ J C(t)
P DM
t1
t2
1 E -5
1 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
t1 S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Transient Thermal Response Curve
For JCS10N65FT
10
1 D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .1
0 .0 2
0 .0 1
0 .0 1
s in g le p u ls e
N o te s :
1 Z θ J C(t)= 2 .5 /W M a x
2 D u ty F a c to r, D = t1 /t2
3 T J M -T c = P D M * Z θ J C(t)
P DM
t1
t2
1 E -5
1 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
t1 S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
10
版本:201208E
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