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부품번호 | JCS80N10SF 기능 |
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기능 | N-CHANNEL MOSFET | ||
제조업체 | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | ||
로고 | |||
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
JCS80N10F
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 80 A
VDSS 100 V
Rdson(@Vgs=10V) 12 mΩ
Qg 115nC
封装 Package
产品用途
z用 于 高 功 率
DC/DC 转换和功
率开关
z 直流电机控制和
D 类放大器
APPLICATIONS
z High efficiency switching
DC/DC converters and
switch mode power supply
z DC Motor control and
Class D Amplifier
产品特性
z低栅极电荷
z 低Crss
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
JCS80N10CF-O-C-N-B
JCS80N10FF-O-F-N-B
JCS80N10SF-O-S-N-A
JCS80N10SF-O-S-N-B
JCS80N10WF-O-W-N-B
印记
Marking
JCS80N10CF
JCS80N10FF
JCS80N10SF
JCS80N10SF
JCS80N10WF
封装
Package
TO-220C
TO-220MF
TO-263
TO-263
TO-247
无卤素
包装
Halogen Free Packaging
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
条管 Tube
条管 Tube
卷盘 Reel
条管 Tube
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
2.15 g(typ)
2.2 g(typ)
1.37 g(typ)
1.37 g(typ)
5.2 g(typ)
版本:201412A
1/11
R JCS80N10F
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
延迟时间 Turn-Off delay time
下降时间 Turn-Off Fall time
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
tBdB(on)
trB B
tBdB(off)
tfB B
QgB B
QgsB B
QgdB B
VBDDB=50V,IBDB=40A,RBGB=4.7Ω
(note 4,5)
VDSB B =80V ,
IBDB=80A
VGSB B =10V
(note 4,5)
- 36
ns
- 43
ns
- 130
ns
- 32
ns
- 115 153 nC
- 25 - nC
- 42 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
ISB B
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISMB B
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSDB B
VBGSB=0V,
IBSB=40A
反向恢复时间
Reverse recovery time
trrB B
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
QrrB B
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
VBGSB=0V, IBSB=80A
dIBFB/dt=100A/μs (note 4)
项目
Parameter
最大
符号
Max
Symbol
JCS80N10CF/SF/WF
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.59
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
- - 80 A
- - 320 A
- - 1.3 V
- 154 - ns
- 862 - μC
单位
Unit
JCS80N10FF
3.49 ℃/W
℃/W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2:L=0.5mH, IBASB=55A, RBGB=25 Ω,起始结温TBJB=25℃
3:ISDB B ≤80A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVBDSSB,起始结温
TBJB=25℃
4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
5:基本与工作温度无关
Notes:
1:Pulse width limited by maximum junction temperature
2:L=0.5mH, IBASB=55A, RBGB=25 Ω,Starting TBJB=25℃
3:ISDB B ≤80A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVBDSSB, Starting TBJB=25℃
4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2%
5:Essentially independent of operating temperature
版本:201412A
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4페이지 R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220C
JCS80N10F
单位 Unit:mm
版本:201412A
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7페이지 | |||
구 성 | 총 11 페이지수 | ||
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구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
JCS80N10SF | N-CHANNEL MOSFET | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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