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I2N60 데이터시트 PDF




nELL에서 제조한 전자 부품 I2N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 I2N60 자료 제공

부품번호 I2N60 기능
기능 N-Channel Power MOSFET / Transistor
제조업체 nELL
로고 nELL 로고


I2N60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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I2N60 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
I2N60 Series RRooHHSS
Nell High Power Products
N-Channel Power MOSFET
12A, 600Volts
DESCRIPTION
The Nell 12N60 is a three-terminal silicon
device with current conduction capability of
12A, fast switching speed, low on-state
resistance, breakdown voltage rating of 600V,
and max. threshold voltage of 4 volts.
They are designed for use in applications such
as switched mode power supplies. DC to DC
converters, PWM motor controls, bridge circuits
and general purpose switching applications.
FEATURES
RDS(ON) = 0.8Ω @ VGS = 10V
Ultra low gate charge(54nC max.)
Low reverse transfer capacitance
(CRSS = 25pF typical)
Fast switching capability
100% avalanche energy specified
Improved dv/dt capability
150°C operation temperature
PRODUCT SUMMARY
ID (A)
VDSS (V)
RDS(ON) (Ω)
QG(nC) max.
12
600
0.8 @ VGS = 10V
54
D
GDS
TO-220AB
(12N60A)
GDS
TO-220F
(12N60AF)
D (Drain)
G
(Gate)
S (Source)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise specified)
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VDSS
Drain to Source voltage
TJ=25°C to 150°C
VDGR
Drain to Gate voltage
RGS=20KΩ
VGS Gate to Source voltage
ID Continuous Drain Current
IDM Pulsed Drain current(Note 1)
IAR Avalanche current(Note 1)
EAR Repetitive avalanche energy(Note 1)
TC=25°C
TC=100°C
lAR=12A,RGS=50Ω, VGS=10V
EAS Single pulse avalanche energy (Note 2)
lAS=12A, L = 10mH
dv/dt
Peak diode recovery dv/dt(Note 3)
PD Total power dissipation
TC=25°C
TO-220AB
TO-220F
TJ
TSTG
Operation junction temperature
Storage temperature
TL Maximum soldering temperature, for 10 seconds 1.6mm from case
Mounting torque, #6-32 or M3 screw
Note: 1.Repetitive rating: pulse width limited by junction temperature..
2.IAS=12A, VDD=50V, L= 10mH, RGS=25Ω, starting TJ = 25 °C.
3.ISD ≤ 12A, di/dt ≤ 200A/µs, VDD V(BR)DSS, starting TJ = 25°C.
www.nellsemi.com
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VALUE
600
600
±30
12
7.4
48
12
24
790
4.5
225
51
-55 to 150
-55 to 150
300
10 (1.1)
UNIT
V
A
mJ
V /ns
W
ºC
lbf.in (N.m)




I2N60 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SEMICONDUCTOR
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS (Cont.)
I2N60 Series RRooHHSS
Nell High Power Products
Fig.2A Switching test circuit
VDS
VGS
RG
10V
Pulse Width ≤ 1µs
Duty Factor ≤ 0.1%
RL
D.U.T.
VDD
Fig.2B Switching Waveforms
VDS
90%
10%
VGS
td(ON)
tR
td(OFF)
tF
Fig.3A Gate charge test circuit
Fig.3B Gate charge waveform
Same Type as
12V 50kΩ D.U.T.
0.2µF
0.3µF
VDS
VGS
3mA
D.U.T.
VGS
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Fig.4A Unclamped lnductive switching test circuit
VDS
L
10V
RG
tp
D.U.T.
VDD
Fig.4B Unclamped lnductive switching
waveforms
BVDSS
lAS
VDD
lD(t)
tp
VDS(t)
Time
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4페이지










I2N60 전자부품, 판매, 대치품
SEMICONDUCTOR
TO-220AB
I2N60 Series RRooHHSS
Nell High Power Products
10.54 (0.415) MAX.
9.40 (0.370)
9.14 (0.360)
3.91 (0.154)
3.74 (0.148)
2.87 (0.113)
2.62 (0.103)
4.06 (0.160)
3.56 (0.140)
PIN
123
16.13 (0.635)
15.87 (0.625)
3.68 (0.145)
3.43 (0.135)
8.89 (0.350)
8.38 (0.330)
29.16 (1.148)
28.40 (1.118)
1.45 (0.057)
1.14 (0.045)
2.67 (0.105)
2.41 (0.095)
2.65 (0.104)
2.45 (0.096)
0.90 (0.035)
0.70 (0.028)
5.20 (0.205)
4.95 (0.195)
14.22 (0.560)
13.46 (0.530)
0.56 (0.022)
0.36 (0.014)
All dimensions in millimeters(inches)
4.70 (0.185)
4.44 (0.1754)
1.39 (0.055)
1.14 (0.045)
15.32 (0.603)
14.55 (0.573)
2.79 (0.110)
2.54 (0.100)
D (Drain)
G
(Gate)
S (Source)
TO-220F
16.4
15.4
10.6
10.4
2
13
3.4
3.1
3.7
3.2 7.1
6.7
16.0
15.8
2.8
2.6
10°
3.3
3.1
2.54
TYP
0.9
0.7
2.54
TYP
4.8
4.6
0.48
0.44
2.85
2.65
13.7
13.5
D (Drain)
www.nellsemi.com
All dimensions in millimeters
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G
(Gate)
S (Source)

7페이지


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