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STD45P4LLF6AG 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STD45P4LLF6AG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STD45P4LLF6AG 자료 제공

부품번호 STD45P4LLF6AG 기능
기능 P-channel Power MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STD45P4LLF6AG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STD45P4LLF6AG 데이터시트, 핀배열, 회로
STD45P4LLF6AG
Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mΩ typ., -50 A
STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package
Datasheet - production data
Figure 1: Internal schematic diagram
D(2, TAB)
G(1)
Features
Order code
STD45P4LLF6AG
VDS
-40 V
RDS(on) max.
15 mΩ
ID
-50 A
Designed for automotive applications and
AEC-Q101 qualified
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Applications
Switching applications
Description
This device is a P-channel Power MOSFET
developed using the STripFET™ F6 technology,
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.
S(3)
Order code
STD45P4LLF6AG
AM11258v1
Table 1: Device summary
Marking
Package
45P4LLF6
DPAK
Packing
Tape and reel
July 2015
DocID027807 Rev 2
This is information on a product in full production.
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www.st.com




STD45P4LLF6AG pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
STD45P4LLF6AG
2 Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C unless otherwise specified)
Table 4: Static
Symbol
Parameter
Test conditions
V(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
VGS = 0 V, ID = -250 µA
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Zero gate voltage drain
current
Gate-body leakage current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-
resistance
VGS = 0 V, VDS = -40 V
VGS = 0 V, VDS = -40 V,
Tcase = 125 °C
VDS = 0 V, VGS = -18 V
VDS = VGS, ID = -250 µA
VGS = -10 V, ID = -25 A
VGS = -4.5 V, ID = -25 A
Min. Typ. Max. Unit
-40 V
-1
µA
-10
-100 nA
-1 -2.5 V
12 15
17 20
Symbol
Parameter
Ciss Input capacitance
Coss Output capacitance
Crss
Reverse transfer
capacitance
Qg Total gate charge
Qgs Gate-source charge
Qgd Gate-drain charge
Table 5: Dynamic
Test conditions
VDS = -25 V, f = 1 MHz,
VGS = 0 V
VDD = -20 V, ID = -50 A,
VGS = -10 V (see Figure 14:
"Gate charge test circuit")
Min. Typ. Max. Unit
- 3525 -
- 345 - pF
- 240 -
- 65.5 -
- 11.5 -
- 13 -
nC
Symbol
Parameter
td(on) Turn-on delay time
tr Rise time
td(off) Turn-off delay time
tf Fall time
Table 6: Switching times
Test conditions
VDD = -20 V, ID = -25 A
RG = 4.7 Ω, VGS = -10 V (see
Figure 13: "Switching times test
circuit for resistive load" )
Min. Typ. Max. Unit
- 12 -
- 35.5 -
- 63.5 -
ns
- 31 -
4/16 DocID027807 Rev 2

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STD45P4LLF6AG 전자부품, 판매, 대치품
STD45P4LLF6AG
Figure 8: Capacitance variations
Electrical characteristics
Figure 9: Normalized gate threshold voltage
vs temperature
Figure 10: Normalized on-resistance vs
temperature
Figure 11: Normalized V(BR)DSS vs
temperature
Figure 12: Source-drain diode forward characteristics
For the P-channel Power MOSFET, current and voltage polarities are reversed.
DocID027807 Rev 2
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