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F1B2CCI 데이터시트 PDF




KEC에서 제조한 전자 부품 F1B2CCI은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 F1B2CCI 자료 제공

부품번호 F1B2CCI 기능
기능 STACK SILICON DIFFUSED DIODE
제조업체 KEC
로고 KEC 로고


F1B2CCI 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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F1B2CCI 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
F1B2CCI/CAI
STACK SILICON DIFFUSED DIODE
HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATION.
FEATURES
Average Output Rectified Current : IO=10A(Tc=101).
Repetitive Peak Reverse Voltage : VRRM=200V.
Rectifier Stack of Single Phase Center Tap Type.
POLARITY
CC TYPE
CATHODE COMMON
13
CA TYPE
ANODE COMMON
13
22
MAXIMUM RATING (Ta=25)
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak
Reverse Voltage
F1B2CCI
F1B2CAI
Average Output Rectified
Current (Tc=101) (Fig.)
Peak One Cycle Surge Forward
Current (Non-Repetitive)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VRRM
IO
IFSM
Tj
Tstg
RATING
200
10
60 (50Hz)
70 (60Hz)
-40150
-40150
UNIT
V
A
A
A
U
E
S
T
LL
M
DD
NN
T
T
123
C
DIM
A
B
C
D
E
F
G
RH
J
K
L
VM
N
O
P
Q
HR
S
T
U
V
MILLIMETERS
10.30 MAX
15.30 MAX
2.70Ź0.30
0.85 MAX
Ѹ3.20Ź0.20
3.00Ź0.30
12.30 MAX
0.75 MAX
13.60Ź0.50
3.90 MAX
1.20
1.30
2.54
4.50Ź0.20
6.80
2.60Ź0.20
10Ɓ
25Ş
5Ş
0.5
2.60Ź0.15
CC TYPE
1. ANODE
2. CATHODE COM
3. ANODE
CA TYPE
1. CATHODE
2. ANODE COM
3. CATHODE
TO-220IS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Peak Forward Voltage (Note)
Repetitive Peak Reverse Current (Note)
Reverse Recovery Time
VFM
IRRM
trr
Thermal Resistance
Note : A Value of one cell.
Rth(j-c)
TEST CONDITION
IFM=5A
VRRM=Rated
IF=0.1A, IR=0.1A
Junction to Case
MIN.
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
MAX.
1.4
10
400
3.5
UNIT
V
A
nS
/W
Fig. EXAMPLE OF RECTIFING CIRCUIT
I O =10A
LOAD
RECTIFIER STACK
1997. 12. 2
Revision No : 2
1/2





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