|
|
|
부품번호 | E50A2CPR 기능 |
|
|
기능 | STACK SILICON DIFFUSED DIODE | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.
FEATURES
Average Forward Current : IO=50A.
Reverse Voltage : 200V(Min.)
POLARITY
E50A2CPS (+ Type)
E50A2CPR (- Type)
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Average Forward Current
Peak 1 Cycle Surge Current
IF(AV)
IFSM
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING
50
500 (60Hz)
200
-40 200
-40 200
UNIT
A
A
V
E50A2CPS, E50A2CPR
STACK SILICON DIFFUSED DIODE
D F2
E
F1
A
DIM MILLIMETERS DIM MILLIMETERS
A Φ11.7+0.1/-0 F1
0.32
B 3.85+0/-0.2 F2
3.1
D Φ1.45+_ 0.1
G
0.5
E 1.55 L1 8.4 MAX
DIM TYPE POLARITY
L2 S
R
MILLIMETERS
17.5+0/-1.5
21.5+0/-1.5
H-PF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Forward Voltage
VF
Reverse Voltage
VR
Reverse Current
IR
Transient Thermal Resistance
VF
Reverse Recovery Time
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
trr
HIR
Temperature Resistance
Rth
TEST CONDITION
IFM=100A
IR=5mA
VR=200V
IFM=100A, IM=100mA,
Pw=100ms
IF=100mA, IRP=100mA
Ta=150 , VR=200V
Junction to Base
Junction to Fin
MIN.
-
200
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
-
MAX.
1.05
-
50
UNIT
V
V
A
130 mV
15 s
2.5 mA
0.8
/W
1.0
2005. 3. 7
Revision No : 0
1/1
| |||
구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ E50A2CPR.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
E50A2CPR | STACK SILICON DIFFUSED DIODE | KEC |
E50A2CPS | STACK SILICON DIFFUSED DIODE | KEC |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |