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CQ220-12N 데이터시트 PDF




Central Semiconductor에서 제조한 전자 부품 CQ220-12N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CQ220-12N 자료 제공

부품번호 CQ220-12N 기능
기능 12 AMP TRIAC
제조업체 Central Semiconductor
로고 Central Semiconductor 로고


CQ220-12N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CQ220-12N 데이터시트, 핀배열, 회로
CQ220-12B
CQ220-12D
CQ220-12M
CQ220-12N
12 AMP TRIAC
200 THRU 800 VOLTS
CentralTM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ220-12B
series type is an Epoxy Molded Silicon Triac
designed for full wave AC control applications
featuring gate triggering in all four (4) quadrants.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
TO-220 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Peak Repetitive Off-State Voltage
RMS On-State Current (TC=90°C)
Peak One Cycle Surge (t=8.3ms)
I2t Value for Fusing (t=8.3ms)
Peak Gate Power (tp=10µs)
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current (tp=10µs)
Peak Gate Voltage (tp=10µs)
Critical Rate of Rise of On-State Current
Repetitive (f=60Hz)
Storage Temperature
Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
VDRM
IT(RMS)
ITSM
I2t
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
di/dt
Tstg
TJ
ΘJA
ΘJC
CQ220
-12B
200
CQ220 CQ220 CQ220
-12D -12M -12N
400 600 800
12
80
27
40
1.0
4.0
16
10
-40 to +150
-40 to +125
60
2.7
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VGT
VTM
dv/dt
Rated VDRM
Rated VDRM, TC=125°C
VD=12V, RL=10Ω, QUAD I, II, III
VD=12V, RL=10Ω, QUAD IV
IT=100mA
VD=12V, RL=10Ω, QUAD I, II, III
VD=12V, RL=10Ω, QUAD IV
ITM=17A, tp=380µs
VD=2/3 VDRM, RGK=∞, TC=125°C
10
TYP
9.9
24.3
14.1
1.10
2.10
1.33
MAX
10
500
20
50
25
1.50
2.50
1.50
UNITS
V
A
A
A2s
W
W
A
V
A/µs
°C
°C
°C/W
°C/W
UNITS
µA
µA
mA
mA
mA
V
V
V
V/µs
R2 (24-September 2004)





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