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BAR90-02ELS 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BAR90-02ELS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BAR90-02ELS 자료 제공

부품번호 BAR90-02ELS 기능
기능 Silicon Deep Trench PIN Diodes
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BAR90-02ELS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

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BAR90-02ELS 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon Deep Trench PIN Diodes
Optimized for low bias current antenna
switches in hand held applications
Very low capacitance at zero volt
reverse bias at frequencies
above 1GHz (typ. 0.19 pF)
Low forward resistance
(typ. 1.3 @ IF = 3 mA)
Improved ON / OFF mode harmonic
distortion balance
Pb-free (RoHS compliant) package
BAR90...
BAR90-02EL
BAR90-02ELS
12
BAR90-098LRH
4
D1
3
D2
12
Type
BAR90-02ELS
BAR90-02EL
BAR90-098LRH
Package
TSSLP-2-3
TSLP-2-19
TSLP-4-7
* Marking of TSSLP-2-3 with underline
Configuration
single, leadless
single, leadless
anti-parallel pair, leadless
LS(nH)
0.2
0.4
0.4
Marking
J*
X
T9
Maximum Ratings at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Diode reverse voltage
Forward current
Total power dissipation
TS 137 °C, BAR90-02ELS
TS 133°C, all others
VR
IF
Ptot
Junction temperature
Operating temperature range
Storage temperature
Tj
Top
Tstg
Value
80
100
150
250
150
-55 ... 125
-55 ... 150
Unit
V
mA
mW
°C
1 2013-06-10




BAR90-02ELS pdf, 반도체, 판매, 대치품
BAR90...
Diode capacitance CT = ƒ (VR)
f = Parameter
Reverse parallel resistance RP = ƒ(VR)
f = Parameter
0.5
pF
0.4
0.35
0.3
1 MHz
100 MHz
1 GHz
0.25 1.8 GHz
0.2
0.15
0.10 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20
VR
10 4
KOhm
10 3
10 2
10 1
10 0
100 MHz
1 GHz
1.8 GHz
10 -1
0 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20
VR
Forward resistance rf = ƒ (IF)
f = 100 MHz
10 1
Ohm
Forward current IF = ƒ (VF)
TA = Parameter
10 -1
A
10 -2
10 -3
10 0
10 -4
-40°C
+25 °C
+85 °C
10 -5
+125 °C
10
-1
10
-1
10 0
10 1 mA 10 2
IF
10 -6
0.2 0.4 0.6 0.8 V
1.2
VF
4 2013-06-10

4페이지










BAR90-02ELS 전자부품, 판매, 대치품
Package TSLP-2-19
BAR90...
7 2013-06-10

7페이지


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