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부품번호 | BAT54A 기능 |
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기능 | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
For high speed Switching.
FEATURES
Low Forward Voltage.
Low Leakage Current.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Average Forward Current
Non-repetitive Peak
Forward Surge Current (t<1.0s)
Repetitive Peak Forward Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
VR
IO
RATING
30
0.2
UNIT
V
A
IFSM
0.6 A
IFRM
PD
Tj
Tstg
0.3
0.2
125
-55 150
A
W
BAT54A
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
E
L BL
DIM MILLIMETERS
A 2.93+_ 0.20
B 1.30+0.20/-0.15
23
C 1.30 MAX
D 0.40+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
1 G 1.90
H 0.95
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
Q
PP
L 0.55
M 0.20 MIN
N 1.00+0.20/-0.10
P7
Q 0.1 MAX
M
1. CATHODE 1
2. CATHODE 2
3. ANODE
3
D2 D1
21
SOT-23
Marking
L42Type Name
Lot No.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
VF
IR
CT
trr
TEST CONDITION
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=30mA
IF=100mA
VR=25V
VR=1V, f=1MHz
IR=IF=10mA
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
MAX.
0.32
0.40
0.50
0.80
2
10
5
UNIT
V
V
V
V
A
pF
ns
2009. 2. 4
Revision No : 0
1/1
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAT54 | SURFACT MOUNT SCHOTTKY BARRIER | Pan Jit International Inc. |
BAT54 | Schottky barrier double diodes | NXP Semiconductors |
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